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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
FDC638P Fairchild Semiconductor FDC638P -
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 4.5a（ta） 2.5V 、4.5V 48mohm @ 4.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 14 NC @ 4.5 v ±8V 1160 PF @ 10 V - 1.6W
FDPF680N10T Fairchild Semiconductor FDPF680N10T 0.6200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 481 nチャネル 100 V 12a（tc） 10V 68mohm @ 6a 、10V 4.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 1000 pf @ 50 V - 24W （TC）
FDS6692A Fairchild Semiconductor FDS6692A 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 582 nチャネル 30 V 9a（ta） 4.5V 、10V 11.5mohm @ 9a、10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1610 pf @ 15 v - 1.47W
FDS6990A Fairchild Semiconductor FDS6990A -
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS6990 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 7.5a 18mohm @ 7.5a 、10V 3V @ 250µA 17NC @ 5V 1235pf @ 15V ロジックレベルゲート
FGB7N60UNDF Fairchild Semiconductor fgb7n60undf 1.1100
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 標準 83 W d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 400V 、7A 、10OHM15V 32.3 ns npt 600 V 14 a 21 a 2.3V @ 15V 、7a 99µj（104µj（オフ） 18 NC 5.9ns/32.3ns
IRFP254BFP001 Fairchild Semiconductor IRFP254BFP001 -
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 250 v 25a（tc） 10V 140mohm @ 12.5a 、10V 4V @ 250µA 123 NC @ 10 V ±30V 3400 PF @ 25 V - 221W
FDS6890A Fairchild Semiconductor FDS6890A -
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS6890 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 20V 7.5a 18mohm @ 7.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 32NC @ 4.5V 2130pf @ 10V ロジックレベルゲート
FDMC7680 Fairchild Semiconductor FDMC7680 0.6100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード ear99 8542.39.0001 492 nチャネル 30 V 14.8a 4.5V 、10V 7.2mohm @ 14.8a、10V 3V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 2855 PF @ 15 V - 2.3W
FDS8876 Fairchild Semiconductor FDS8876 0.5000
RFQ
 ECAD 562 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 12.5a（ta） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 12.5a 、10V 2.5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±20V 1650 PF @ 15 V - 2.5W
KST10MTF Fairchild Semiconductor KST10MTF -
RFQ
 ECAD 3534 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 350MW SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 - 25V - npn 60 @ 4MA 、10V 650MHz -
FDPF041N06BL1 Fairchild Semiconductor FDPF041N06BL1 1.1500
RFQ
 ECAD 755 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 283 nチャネル 60 V 77a（tc） 10V 4.1mohm @ 77a 、10v 4V @ 250µA 69 NC @ 10 V ±20V 5690 PF @ 30 V - 44.1W
FDG311N Fairchild Semiconductor FDG311N 0.1900
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 モスフェット（金属酸化物） SC-88 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 20 v 1.9a（ta） 2.5V 、4.5V 115mohm @ 1.9a 、4.5V 1.5V @ 250µA 4.5 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v - 750MW
FGA30N60LSDTU Fairchild Semiconductor FGA30N60LSDTU 2.9000
RFQ
 ECAD 551 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FGA30N60 標準 480 w to-3p ダウンロード ear99 8542.39.0001 104 400V、30A 、6.8OHM、15V 35 ns トレンチフィールドストップ 600 V 60 a 90 a 1.4V @ 15V 、30A 1.1MJ 225 NC 18ns/250ns
FDMS3624S Fairchild Semiconductor FDMS3624S -
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS3624 モスフェット（金属酸化物） 2.2W 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 n チャネル（デュアル）非対称 25V 17.5a 1.8mohm @ 30a、10v 2V @ 250µA、2.2V @ 1MA 26NC @ 10V 、59NC @ 10V 1570pf @ 13V 、4045pf @ 13V -
FDP100N10 Fairchild Semiconductor FDP100N10 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 159 nチャネル 100 V 75a（tc） 10V 10mohm @ 75a 、10V 4.5V @ 250µA 100 NC @ 10 V ±20V 7300 PF @ 25 V - 208W
FDMS7570S Fairchild Semiconductor FDMS7570S 0.5400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 558 nチャネル 25 v 28a（タタ）、49a（tc） 4.5V 、10V 1.95mohm @ 28a 、10v 3V @ 1MA 69 NC @ 10 V ±20V 4515 PF @ 13 V - 2.5W （TA ）、83W（TC）
FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FGH60N60SFTU 3.7100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8542.39.0001 81
FDFMA3P029Z Fairchild Semiconductor FDFMA3P029Z 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 6-MLP （2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 30 V 3.3a（ta） 87mohm @ 3.3a 、10V 3V @ 250µA 10 NC @ 10 V 435 PF @ 15 V ショットキーダイオード（分離） 1.4W
BC33740BU Fairchild Semiconductor BC33740BU -
RFQ
 ECAD 7351 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 - 0000.00.0000 1 45 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 250 @ 100MA、1V 100MHz
BD17510STU Fairchild Semiconductor BD17510STU -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 30 W TO-126-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 553 45 v 3 a 100µa（icbo） npn 800mv @ 100ma、1a 63 @ 150MA 、2V 3MHz
PN2222ATA Fairchild Semiconductor PN2222ata 1.0000
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 - 0000.00.0000 1 40 v 1 a 10na （icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 300MHz
FCPF7N60YDTU Fairchild Semiconductor fcpf7n60ydtu 1.0100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Superfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、形成されたリード モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 7a（tc） 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 25 V - 31W （TC）
FDPF12N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF12N50NZ 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 306 nチャネル 500 V 11.5a 10V 520MOHM @ 5.75A 、10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 1235 PF @ 25 V - 42W
FJV3114RMTF Fairchild Semiconductor fjv3114rmtf 0.0300
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
KSC2073TU Fairchild Semiconductor KSC2073TU 0.3100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 25 W TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 969 150 v 1.5 a 10µa（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 40 @ 500MA 、10V 4MHz
KSC1008COBU Fairchild Semiconductor KSC1008COBU 0.0200
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 3,786 60 V 700 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 70 @ 50ma 、2V 50MHz
FDD8870 Fairchild Semiconductor FDD8870 1.0000
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 30 V 21a（タタ）、160a 4.5V 、10V 3.9mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 118 NC @ 10 V ±20V 5160 PF @ 15 V - 160W
FGH20N60SFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH20N60SFDTU-F085 -
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 165 W TO-247 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 400V 、20a 、10ohm15V 40 ns フィールドストップ 600 V 40 a 60 a 2.8V @ 15V 、20A 430µj（オン）、130µj（オフ） 66 NC 13ns/90ns
FCH085N80-F155 Fairchild Semiconductor FCH085N80-F155 -
RFQ
 ECAD 7391 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 46a（tc） 10V 85mohm @ 23a 、10V 4.5V @ 4.6ma 255 NC @ 10 V ±20V 10825 PF @ 100 V - 446W
FGB40N60SM Fairchild Semiconductor FGB40N60SM -
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 標準 349 w d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V 、40a 、6ohm15V フィールドストップ 600 V 80 a 120 a 2.3V @ 15V 、40a 870µj（オン）、260µJ 119 NC 12ns/92ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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