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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
SFW2955TM Fairchild Semiconductor SFW2955TM 0.4000
RFQ
 ECAD 5792 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 540 pチャネル 60 V 9.4a（tc） 10V 300mohm @ 4.7a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 25 V - 3.8W
SFR9230BTM Fairchild Semiconductor SFR9230BTM -
RFQ
 ECAD 5320 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 200 v 5.4a（tc） 10V 800mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 2.5W
RF1S9640SM9A Fairchild Semiconductor RF1S9640SM9A 1.6400
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 165 pチャネル 200 v 11a（tc） 10V 500mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 125W
FMC7G50US60 Fairchild Semiconductor FMC7G50US60 -
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 200 W 三相ブリッジ整流器 - ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 50 a 2.8V @ 15V 、50a 250 µA いいえ 3.46 NF @ 30 V
FMG1G200US60L Fairchild Semiconductor FMG1G200US60L 55.6300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 695 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 200 a 2.7V @ 15V 、200A 250 µA いいえ
HP4936DY Fairchild Semiconductor HP4936DY 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） HP4936 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 5.8a（ta） 37mohm @ 5.8a 、10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 625pf @ 25V ロジックレベルゲート
HGTG20N60B3_NL Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3_NL 1.5900
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-247-3 標準 165 W TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 22 - - 600 V 40 a 160 a 2V @ 15V、 20a - 135 NC -
FMG1G150US60H Fairchild Semiconductor FMG1G150US60H 55.2800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 595 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 150 a 2.7V @ 15V 、150a 250 µA いいえ
HP4410DYT Fairchild Semiconductor hp4410dyt 0.5900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 135mohm @ 10a 、10V 1V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±16V 1600 pf @ 25 v - 2.5W
IRF620B Fairchild Semiconductor IRF620B -
RFQ
 ECAD 1948年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 5a（tc） 10V 800mohm @ 2.5a 、10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±30V 390 PF @ 25 V - 47W （TC）
HGT1S7N60C3D Fairchild Semiconductor HGT1S7N60C3D 0.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して To-262-3 Long Leads 標準 60 W i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 - 25 ns - 600 V 14 a 56 a 2V @ 15V、7a - 38 NC -
HGTG30N60B3_NL Fairchild Semiconductor HGTG30N60B3_NL 6.0400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 208 w TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 51 480V 、60a、3ohm、15V npt 600 V 60 a 220 a 1.9V @ 15V 、30a 550µj（680µj （オフ） 250 NC 36ns/137ns
SI4416DY Fairchild Semiconductor SI4416DY -
RFQ
 ECAD 8178 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1,353 nチャネル 30 V 9a（ta） - 18mohm @ 9a 、10V 1V @ 250µA 20 NC @ 5 V ±20V 1340 PF @ 15 V - 1W
SFU9224TU Fairchild Semiconductor SFU9224TU 0.2800
RFQ
 ECAD 273 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 250 v 2.5a 10V 2.4OHM @ 1.3A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 2.5w
SI6466DQ Fairchild Semiconductor SI6466DQ 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） モスフェット（金属酸化物） 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 20 v 7.8a（ta） 2.5V 、4.5V 15mohm @ 7.8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 20 NC @ 4.5 v ±12V 1320 pf @ 10 v - 1.1W
SSI4N60BTU Fairchild Semiconductor SSI4N60BTU 0.4400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 4a（tc） 10V 2.5OHM @ 2A 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、100W（TC）
SFH9140 Fairchild Semiconductor SFH9140 0.6600
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 388 pチャネル 100 V 19a（tc） 10V 200mohm @ 9.5a 、10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 1535 PF @ 25 V - 166W
SSF10N80A Fairchild Semiconductor SSF10N80A 2.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 800 V 6.5a（tc） 10V 950mohm @ 3a 、10V 3.5V @ 250µA 165 NC @ 10 V ±30V 3500 PF @ 25 V - 100W （TC）
SI4822DY Fairchild Semiconductor SI4822DY 0.4300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 701 nチャネル 30 V 12.5a（ta） 4.5V 、10V 9.5mohm @ 12.5a 、10V 3V @ 250µA 33 NC @ 5 V ±20V 2180 PF @ 15 V - 1W
RF3S49092SM9A Fairchild Semiconductor RF3S49092SM9A 2.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-6 、D²pak（5リード +タブ）、 To-263BA RF3S49092 モスフェット（金属酸化物） 50W （TC） TO-263-5 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nおよびpチャネル 12V 20a（tc 60mohm @ 20a 1V @ 250µA 25NC @ 10V 、24NC @ 10V 750pf @ 10V 、775pf @ 10V ロジックレベルゲート
RFD14N05SM9A_NL Fairchild Semiconductor RFD14N05SM9A_NL -
RFQ
 ECAD 5637 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 50 v 14a（tc） 10V 100mohm @ 14a 、10V 4V @ 250µA 40 NC @ 20 V ±20V 570 PF @ 25 V - 48W （TC）
2N5401RA Fairchild Semiconductor 2N5401RA 1.0000
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 2N5401 625 MW to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 2,000 150 v 600 Ma 50µa（icbo） PNP 500MV @ 5MA 、50mA 60 @ 10ma 、5v 400MHz
HGT1S14N36G3VLT_NL Fairchild Semiconductor HGT1S14N36G3VLT_NL -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads 論理 100 W i2pak（to-262） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 124 300V、7a、28OHM 、5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V、14a - 24 NC - /7µs
2N3904RM Fairchild Semiconductor 2N3904RM 0.0200
RFQ
 ECAD 5286 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 2N3904 625 MW to-92 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 11,000 40 v 200 ma 50NA npn 300mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 300MHz
ISL9N312AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N312AS3ST 0.8700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 58a 4.5V 、10V 12mohm @ 58a 、10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1450 PF @ 15 V - 75W
2N4401RA Fairchild Semiconductor 2N4401RA -
RFQ
 ECAD 7300 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 2N4401 625 MW to-92（to-226） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 2,000 40 v 600 Ma 100NA npn 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma、1V 250MHz
2N3906 Fairchild Semiconductor 2N3906 -
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 2N39 625 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1 40 v 200 ma 50NA PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
FDD6670A_NL Fairchild Semiconductor FDD6670A_NL 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 15a（タタ66a（tc） 4.5V 、10V 8mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 22 NC @ 5 V ±20V 1755 PF @ 15 V - 1.3W （TA ）、63W（TC）
FDD6035AL Fairchild Semiconductor FDD6035AL 0.4800
RFQ
 ECAD 207 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 12a（タタ）、46a（tc） 4.5V 、10V 12mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 18 NC @ 5 V ±20V 1230 PF @ 15 V - 1.5W
FDD6692 Fairchild Semiconductor FDD6692 0.5500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 54a（ta） 4.5V 、10V 12mohm @ 14a 、10V 3V @ 250µA 25 NC @ 5 V ±16V 2164 PF @ 15 V - 1.6W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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