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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FQB12N50TM Fairchild Semiconductor FQB12N50TM 1.0700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FQB12N - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 800 -
FDS8672S Fairchild Semiconductor FDS8672S 0.9800
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 307 nチャネル 30 V 18a（ta） 4.5V 、10V 4.8mohm @ 18a 、10v 3V @ 1MA 41 NC @ 10 V ±20V 2670 PF @ 15 V - 2.5W
KSH122TF Fairchild Semiconductor KSH122TF -
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1.75 w TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 100 V 8 a 10µA npn-ダーリントン 4V @ 80ma 、8a 1000 @ 4a 、4V -
KSC5021RTU Fairchild Semiconductor KSC5021RTU -
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 KSC5021 50 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 500 V 5 a 10µa（icbo） npn 1V @ 600MA、3a 15 @ 600MA 、5V 18MHz
2N5550TFR Fairchild Semiconductor 2N5550TFR 0.0400
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 7,416 140 v 600 Ma 100na（icbo） npn 250mv @ 5ma 、50ma 60 @ 10ma 、5v 300MHz
FDMS8020 Fairchild Semiconductor FDMS8020 1.0000
RFQ
 ECAD 6840 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 26a（ta ）、42a（tc） 4.5V 、10V 2.5mohm @ 26a 、10V 3V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 3800 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、65W（TC）
KSD986YSTSSTU Fairchild Semiconductor KSD986YSTSSTU 1.0000
RFQ
 ECAD 3733 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,880 80 v 1.5 a 10µa（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 1MA、1a 8000 @ 1a 、2V -
FDS5692Z Fairchild Semiconductor FDS5692Z 1.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 50 v 5.8a（ta） 4.5V 、10V 24mohm @ 5.8a 、10V 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1025 PF @ 25 V - 2.5W
FQT7N10LTF Fairchild Semiconductor fqt7n10ltf -
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 1.7a（tc） 5V、10V 350mohm @ 850ma 、10V 2V @ 250µA 6 NC @ 5 V ±20V 290 PF @ 25 V - 2W （TC）
FDMS8670 Fairchild Semiconductor FDMS8670 0.8700
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 24a（タタ）、42a（tc） 4.5V 、10V 2.6mohm @ 24a 、10V 3V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±20V 3940 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、78W（TC）
FDA8440 Fairchild Semiconductor FDA8440 3.9800
RFQ
 ECAD 7543 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 40 v 30a（タタ）、 100a（tc） 4.5V 、10V 2.1mohm @ 80a 、10V 3V @ 250µA 450 NC @ 10 V ±20V 24740 PF @ 25 V - 306W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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