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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1）
HUF76429P3 Fairchild Semiconductor HUF76429p3 1.0000
RFQ
 ECAD 6078 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 60 V 47a（tc） 4.5V 、10V 22mohm @ 47a 、10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1480 PF @ 25 V - 110W
KSC2330OBU Fairchild Semiconductor KSC2330OBU 0.0500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 500 300 V 100 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 20ma 、10V 50MHz
FDD6N20TF Fairchild Semiconductor FDD6N20TF 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 200 v 4.5a 10V 800mohm @ 2.3a 、10V 5V @ 250µA 6.1 NC @ 10 V ±30V 230 PF @ 25 V - 40W （TC）
FQL50N40 Fairchild Semiconductor FQL50N40 7.1600
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-264-3、TO-264AA モスフェット（金属酸化物） HPM F2 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 375 nチャネル 400 V 50a（tc） 10V 75mohm @ 25a 、10V 5V @ 250µA 210 NC @ 10 V ±30V 7500 PF @ 25 V - 460W （TC）
FQB7N30TM Fairchild Semiconductor fqb7n30tm 0.7800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 300 V 7a（tc） 10V 700mohm @ 3.5a 、10V 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 610 pf @ 25 v - 3.13W（タタ）、 85W
KSC1623OMTF Fairchild Semiconductor ksc1623omtf 0.0200
RFQ
 ECAD 6865 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 10MA 、100mA 90 @ 1MA 、6V 250MHz
FGP20N6S2D Fairchild Semiconductor FGP20N6S2D -
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 125 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 390V 、7a、25OHM、15V 31 ns - 600 V 28 a 40 a 2.7V @ 15V 、7a 25µj（on ）、 58µj（オフ） 30 NC 7.7ns/87ns
FDP6030L Fairchild Semiconductor FDP6030L 0.5700
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -65°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 30 V 48a（ta） 4.5V 、10V 13mohm @ 26a 、10v 3V @ 250µA 18 NC @ 5 V ±20V 1250 PF @ 15 V - 52W
HUF75623P3 Fairchild Semiconductor HUF75623p3 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 100 V 22a（tc） 10V 64mohm @ 22a 、10V 4V @ 250µA 52 NC @ 20 V ±20V 790 PF @ 25 V - 85W
FQD5N30TF Fairchild Semiconductor FQD5N30TF 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 300 V 4.4a（tc） 10V 900mohm @ 2.2a 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 430 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、45W（TC）
FDFC2P100 Fairchild Semiconductor FDFC2P100 0.1700
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 3a（ta） 2.5V 、4.5V 150mohm @ 3a 、4.5V 1.5V @ 250µA 4.7 NC @ 10 V ±12V 445 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 1.5W
FDS8962C Fairchild Semiconductor FDS8962C 1.0000
RFQ
 ECAD 8273 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS89 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 nおよびpチャネル 30V 7a 、5a 30mohm @ 7a 、10V 3V @ 250µA 26NC @ 10V 575pf @ 15V ロジックレベルゲート
HUF75531SK8T Fairchild Semiconductor HUF75531SK8T -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 6a（ta） 10V 30mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 82 NC @ 20 V ±20V 1210 pf @ 25 v - 2.5W
FJY3012R Fairchild Semiconductor FJY3012R 0.0200
RFQ
 ECAD 2009年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY301 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
MPS651 Fairchild Semiconductor MPS651 -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 60 V 800 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 200MA 、2a 75 @ 1a 、2V 75MHz
FQP2N60 Fairchild Semiconductor FQP2N60 0.9000
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 2.4a（tc） 10V 4.7OHM @ 1.2A 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 64W
FQAF16N25C Fairchild Semiconductor FQAF16N25C 0.9200
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 250 v 11.4a（tc） 10V 270mohm @ 5.7a 、10V 4V @ 250µA 53.5 NC @ 10 V ±30V 1080 PF @ 25 V - 73W
HUF75309D3S Fairchild Semiconductor HUF75309D3S 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 55 v 19a（tc） 70mohm @ 19a 、10V 4V @ 250µA 24 NC @ 20 V ±20V 350 PF @ 25 V - 55W （TC）
FDM2509NZ Fairchild Semiconductor FDM2509NZ 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド FDM2509 モスフェット（金属酸化物） 800mw マイクロフェット2x2薄い ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 8.7a 18mohm @ 8.7a 、4.5V 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1200pf @ 10V ロジックレベルゲート
FQPF6N70 Fairchild Semiconductor FQPF6N70 0.9600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 700 V 3.5a 10V 1.5OHM @ 1.75A 、10V 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 1400 PF @ 25 V - 48W （TC）
KSC2669YTA Fairchild Semiconductor ksc2669yta 0.0200
RFQ
 ECAD 9489 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 200 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,752 30 V 30 Ma 100na（icbo） npn 400MV @ 1MA 、10MA 120 @ 2MA、12V 250MHz
FDU6296 Fairchild Semiconductor FDU6296 0.5300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 30 V 15a 4.5V 、10V 8.8mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 31.5 NC @ 10 V ±20V 1440 PF @ 15 V - 3.8w
FDS4895C Fairchild Semiconductor FDS4895C 1.0000
RFQ
 ECAD 5000 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS48 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 nおよびpチャネル 40V 5.5a 、4.4a 39mohm @ 5.5a 、10V 5V @ 250µA 10NC @ 10V 410pf @ 20V -
FGB20N6S2 Fairchild Semiconductor FGB20N6S2 0.6000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 標準 125 w d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 390V 、7a、25OHM、15V - 600 V 28 a 40 a 2.7V @ 15V 、7a 25µj（on ）、 58µj（オフ） 30 NC 7.7ns/87ns
MPS6513 Fairchild Semiconductor MPS6513 1.0000
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 30 V 200 ma 50na（icbo） npn 500MV @ 5MA 、50mA 90 @ 2MA 、10V -
FDW9926A Fairchild Semiconductor FDW9926A 1.0000
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FDW99 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 20V 4.5a 32mohm @ 4.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 9NC @ 4.5V 630pf @ 10V ロジックレベルゲート
KSB1366G Fairchild Semiconductor KSB1366G 0.2000
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,170 60 V 3 a 100µa（icbo） PNP 1V @ 200MA 、2a 150 @ 500MA 、5V 9MHz
KSD1616LBU Fairchild Semiconductor KSD1616LBU 0.0700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 10,000 50 v 1 a 100na（icbo） npn 300MV @ 50MA、1a 300 @ 100MA 、2V 160MHz
FDS4885C Fairchild Semiconductor FDS4885C 1.0000
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS48 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1 nおよびpチャネル 40V 7.5a 、6a 22mohm @ 7.5a 、10V 5V @ 250µA 21NC @ 10V 900pf @ 20V -
KSB1097YTU Fairchild Semiconductor KSB1097YTU 0.3700
RFQ
 ECAD 940 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 60 V 7 a 10µa（icbo） PNP 500MV @ 500MA 、5a 100 @ 3a、1V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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