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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FDD5N53TM Fairchild Semiconductor FDD5N53TM 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 530 V 4a（tc） 10V 1.5OHM @ 2A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 640 PF @ 25 V - 40W （TC）
FQD3N60CTM Fairchild Semiconductor FQD3N60CTM -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 2.4a（tc） 10V 3.4OHM @ 1.2A 、10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 565 PF @ 25 V - 50W （TC）
FQB85N06TM Fairchild Semiconductor FQB85N06TM 1.4200
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 85a（tc） 10V 10mohm @ 42.5a 、10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±25V 4120 PF @ 25 V - 3.75W
IRF610A Fairchild Semiconductor IRF610A -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 3.3a（tc） 10V 1.5OHM @ 1.65A 、10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 210 PF @ 25 V - 38W
FDB7042L Fairchild Semiconductor FDB7042L 0.6000
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 50a（ta） 4.5V 、10V 7.5mohm @ 25a 、10V 2V @ 250ma 51 NC @ 4.5 v ±12V 2418 PF @ 15 V - 83W
FQPF18N50V2SDTU Fairchild Semiconductor FQPF18N50V2SDTU 1.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 18a（tj） 10V 265mohm @ 9a、10V 5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±30V 3290 PF @ 25 V - 69W （TC）
IRF9510R4941 Fairchild Semiconductor IRF9510R4941 -
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 100 V 3a（tc） 10V 1.2OHM @ 1.5A 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 25 v - 20W （TC）
FDB6670S Fairchild Semiconductor FDB6670S 2.4900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 62a（ta） 4.5V 、10V 8.5mohm@ 31a 、10V 3V @ 1MA 32 NC @ 5 V ±20V 2639 PF @ 15 V - 62.5W
IRF610B Fairchild Semiconductor IRF610B 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 3.3a（tc） 10V 1.5OHM @ 1.65A 、10V 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 225 PF @ 25 V - 38W
FDD13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDD13AN06A0_NL -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 9.9a 6V 、10V 13.5mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1350 PF @ 25 V - 115W
HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor HGT1S12N60C3DS 2.1000
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 標準 104 w TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 - 32 ns - 600 V 24 a 96 a 2.2V @ 15V 、15a - 71 NC -
FMC7G15US60 Fairchild Semiconductor FMC7G15US60 -
RFQ
 ECAD 4427 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 45 W 三相ブリッジ整流器 - ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 4 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 15 a 2.8V @ 15V 、15a 250 µA いいえ 948 PF @ 30 V
HRF3205_NL Fairchild Semiconductor HRF3205_NL 1.0900
RFQ
 ECAD 392 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 100a（tc） 10V 8mohm @ 59a、10v 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 175W
FMG2G400LS60 Fairchild Semiconductor FMG2G400LS60 -
RFQ
 ECAD 5933 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 午後7時 FMG2 1.136 w 標準 午後7時 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 ハーフブリッジ - 600 V 400 a 1.8V @ 15V 、400A 250 µA いいえ
FDB603AL Fairchild Semiconductor FDB603AL 1.2200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 33a 4.5V 、10V 22mohm @ 25a 、10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 670 PF @ 15 V - 50W （TC）
FMG1G300US60HE Fairchild Semiconductor FMG1G300US60HE 73.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 892 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 300 a 2.7V @ 15V 、300A 250 µA いいえ
FMC7G30US60 Fairchild Semiconductor FMC7G30US60 -
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 125 w 三相ブリッジ整流器 - ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 三相インバーター - 600 V 30 a 2.8V @ 15V 、30a 250 µA いいえ 1.97 NF @ 30 V
IRF630A Fairchild Semiconductor IRF630A -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 9a（tc） 10V 400mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 72W
BC80740 Fairchild Semiconductor BC80740 0.0700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BC807 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
FDB6035L Fairchild Semiconductor FDB6035L 3.4000
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 58a 4.5V 、10V 11mohm @ 26a 、10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1230 PF @ 15 V - 75W
FMG2G75US120 Fairchild Semiconductor FMG2G75US120 55.8100
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 午後7時 FMG2 445 w 標準 午後7時 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 15 ハーフブリッジ - 1200 v 75 a 3V @ 15V 、75a 3 Ma いいえ
SSP1N50B Fairchild Semiconductor SSP1N50B 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 520 v 1.5a 10V 5.3OHM @ 750MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 340 PF @ 25 V - 36W （TC）
HUFA76413DK8 Fairchild Semiconductor hufa76413dk8 0.3100
RFQ
 ECAD 5694 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） hufa76413 モスフェット（金属酸化物） 2.5W 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 291 2 nチャンネル（デュアル） 60V 5.1a（tc） 49mohm @ 5.1a 、10V 3V @ 250µA 23NC @ 10V 620pf @ 25V ロジックレベルゲート
SSP3N80A Fairchild Semiconductor SSP3N80A -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 800 V 3a（tc） 10V 4.8ohm @ 850ma 、10V 3.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 750 PF @ 25 V - 100W （TC）
SI6963DQ Fairchild Semiconductor SI6963DQ 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） SI6963 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.8a（ta） 43mohm @ 3.8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 16NC @ 4.5V 1015pf @ 10V -
NDH8502P Fairchild Semiconductor NDH8502P 0.5900
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-tsop （0.130 "、幅3.30mm） NDH8502 モスフェット（金属酸化物） 800MW SuperSot™-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 2.2a（ta） 110mohm @ 2.2a 、10V 3V @ 250µA 14.5NC @ 10V 340pf @ 15V -
NDH8302P Fairchild Semiconductor NDH8302P 0.4400
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-tsop （0.130 "、幅3.30mm） NDH8302 モスフェット（金属酸化物） 800MW SuperSot™-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 2a（ta） 130mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 250µA 11NC @ 4.5V 515pf @ 10V -
SI3456DV Fairchild Semiconductor SI3456DV 0.1800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 5.1a（ta） 4.5V 、10V 45mohm @ 5.1a 、10V 2V @ 250µA 12.6 NC @ 10 V ±20V 463 PF @ 15 V - 800MW
NDH8521C Fairchild Semiconductor NDH8521C 0.7700
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-tsop （0.130 "、幅3.30mm） NDH8521 モスフェット（金属酸化物） 800MW SuperSot™-8 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 3.8a 33mohm @ 3.8a、10V 2V @ 250µA 25NC @ 10V 、27NC @ 10V 500pf @ 15v、560pf @ 15v -
SI9926DY Fairchild Semiconductor SI9926DY 0.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SI9926 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 20V 6.5a（ta） 30mohm @ 6.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 700pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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