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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
SFI9510TU Fairchild Semiconductor SFI9510TU 0.7300
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 100 V 3.6a（tc） 10V 1.2OHM @ 1.8A 、10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 335 PF @ 25 V - 3.8W （TA）、 32W （TC）
RF1K4915696 Fairchild Semiconductor RF1K4915696 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 365 nチャネル 30 V 6.3a（ta） 5V 30mohm @ 6.3a 、5v 2V @ 250µA 65 NC @ 10 V ±10V 2030 PF @ 25 V - 2W （TA）
RF1S50N06SM9A Fairchild Semiconductor RF1S50N06SM9A 0.8700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 50a（tc） 10V 22mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 20 V ±20V 2020 PF @ 25 V - 131W
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0.6200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） RF1K4 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 12V 3.5a（ta） 50mohm @ 3.5a 、5v 2V @ 250µA 25NC @ 10V 750pf @ 10V ロジックレベルゲート
RFD14N05L_NL Fairchild Semiconductor RFD14N05L_NL 0.5200
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 408 nチャネル 50 v 14a（tc） 5V 100mohm @ 14a 、5v 2V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±10V 670 PF @ 25 V - 48W （TC）
SSR2N60BTM Fairchild Semiconductor SSR2N60BTM -
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 1.8a 10V 5OHM @ 900MA 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、44W（TC）
RF1K49157 Fairchild Semiconductor RF1K49157 0.5100
RFQ
 ECAD 960 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 6.3a（ta） 4.5V 、10V 30mohm @ 6.3a 、10V 3V @ 250µA 88 NC @ 20 V ±20V 1575 PF @ 25 V - 2W （TA）
SFI9Z24TU Fairchild Semiconductor SFI9Z24TU 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 60 V 9.7a（tc） 10V 280mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 3.8W
HUF76609D3_NL Fairchild Semiconductor huf76609d3_nl -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 238 nチャネル 100 V 10a（tc） 4.5V 、10V 160mohm @ 10a 、10V 3V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±16V 425 PF @ 25 V - 49W （TC）
SSU2N60BTU Fairchild Semiconductor SSU2N60BTU 0.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 1.8a 10V 5OHM @ 900MA 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、44W（TC）
SFP9520 Fairchild Semiconductor SFP9520 0.1900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 100 V 6a（tc） 10V 600mohm @ 3a 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 550 PF @ 25 V - 49W （TC）
SI3455DV Fairchild Semiconductor SI3455DV -
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 3.6a（ta） 4.5V 、10V 75mohm @ 3.6a 、10V 3V @ 250µA 5 NC @ 5 V ±20V 298 PF @ 15 V - 800MW
SFR9214TM Fairchild Semiconductor SFR9214TM 0.2400
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 250 v 1.53a 10V 4OHM @ 770MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 295 PF @ 25 V - 2.5w
RFD16N05NL Fairchild Semiconductor RFD16N05NL 0.5100
RFQ
 ECAD 776 0.00000000 フェアチャイルド半導体 pspice® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 50 v 16a（tc） 10V 47mohm @ 16a 、10V 4V @ 250µA 80 NC @ 20 V ±20V 900 pf @ 25 V - 72W
SFS9Z24 Fairchild Semiconductor SFS9Z24 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 60 V 7.5a 10V 280mohm @ 3.8a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 29W
SSW7N60BTM Fairchild Semiconductor SSW7N60BTM 0.7200
RFQ
 ECAD 697 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 7a（tc） 10V 1.2OHM @ 3.5A 、10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 3.13W
SFP9620 Fairchild Semiconductor SFP9620 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 3.5a 10V 1.5OHM @ 1.8A 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 38W
RFP50N06_NL Fairchild Semiconductor RFP50N06_NL -
RFQ
 ECAD 3974 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 50a（tc） 10V 22mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 20 V ±20V 2020 PF @ 25 V - 131W
SI9426DY Fairchild Semiconductor SI9426DY -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 20 v 10.5a（ta） 2.7V 、4.5V 13.5mohm @ 10.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 60 NC @ 4.5 v ±8V 2150 PF @ 10 V - 1W
RF1K4915796 Fairchild Semiconductor RF1K4915796 0.8200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 6.3a（ta） 4.5V 、10V 30mohm @ 6.3a 、10V 3V @ 250µA 88 NC @ 20 V ±20V 1575 PF @ 25 V - 2W （TA）
RF1K49156 Fairchild Semiconductor RF1K49156 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 6.3a（ta） 5V 30mohm @ 6.3a 、5v 2V @ 250µA 65 NC @ 10 V ±10V 2030 PF @ 25 V - 2W （TA）
SFR9034TM Fairchild Semiconductor SFR9034TM -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 60 V 14a（tc） 10V 140mohm @ 7a、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±25V 1155 PF @ 25 V - 2.5W
SFR9214TF Fairchild Semiconductor SFR9214TF 0.1400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 1.53a 10V 4OHM @ 770MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 295 PF @ 25 V - 2.5w
PN2907ARA Fairchild Semiconductor PN2907ARA 0.0200
RFQ
 ECAD 1868年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 PN2907 625 MW to-92（to-226） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 4,000 60 V 800 Ma 50NA PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
PN2222ARP Fairchild Semiconductor PN2222ARP -
RFQ
 ECAD 7038 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して TO-226-3 PN2222 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1 40 v 1 a 10na npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 300MHz
SI3948DV Fairchild Semiconductor SI3948DV -
RFQ
 ECAD 3735 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 SI3948 モスフェット（金属酸化物） 700MW SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 2.5a（ta） 145mohm @ 2a 、4.5V 3V @ 250µA 3.2NC @ 5V 220pf @ 15V ロジックレベルゲート
SI6426DQ Fairchild Semiconductor SI6426DQ 0.1900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） モスフェット（金属酸化物） 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 20 v 5.4a（ta） 2.5V 、4.5V 35mohm @ 5.4a 、4.5V 1.5V @ 250µA 10 NC @ 4.5 v ±8V 710 pf @ 10 v - 1.1W
SI3454DV Fairchild Semiconductor SI3454DV -
RFQ
 ECAD 9310 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 671 nチャネル 30 V 4.2a（ta） 4.5V 、10V 65mohm @ 4.2a 、10V 2V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 460 PF @ 15 V - 800MW
SFU9210TU Fairchild Semiconductor SFU9210TU 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 1.6a（tc） 10V 3OHM @ 800MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 285 PF @ 25 V - 2.5w
SGL25N120RUFTU Fairchild Semiconductor sgl25n120ruftu 1.0000
RFQ
 ECAD 6403 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-264-3、TO-264AA SGL25N 標準 270 w ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 600V 、25a 、10ohm15V - 1200 v 40 a 75 a 3V @ 15V、25a 1.6MJ （オン）、1.63MJ 165 NC 30ns/70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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