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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
SI3441DV Fairchild Semiconductor SI3441DV -
RFQ
 ECAD 2419 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3.5a（ta） 2.5V 、4.5V 80mohm @ 3.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 10 NC @ 4.5 v ±8V 779 PF @ 10 V - 800MW
SI3447DV Fairchild Semiconductor SI3447DV -
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.8V 、4.5V 33mohm @ 5.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 30 NC @ 4.5 v ±8V 1926 PF @ 10 V - 800MW
SSW4N60BTM Fairchild Semiconductor SSW4N60BTM -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 4a（tc） 10V 2.5OHM @ 2A 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、100W（TC）
SGP5N60RUFTU Fairchild Semiconductor sgp5n60ruftu 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 sgp6n 標準 60 W TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 300V、5A 、40OHM、15V - 600 V 8 a 15 a 2.8V @ 15V 、5a 24 NC 13NS/34NS
NDS9435 Fairchild Semiconductor NDS9435 0.9500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Si9xxx バルク アクティブ - 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 5.3a - - - - - 2W
ISL9N306AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N306AD3 0.8700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 50a（tc） 4.5V 、10V 6mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 15 V - 125W （TA
NDB7052L Fairchild Semiconductor NDB7052L 0.7600
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 50 v 75a（tc） 5V、10V 7.5mohm @ 37.5a 、10V 2V @ 250µA 130 NC @ 5 V ±16V 4030 pf @ 25 v - 150W
D45H2A Fairchild Semiconductor D45H2A 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 D45H 60 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 30 V 8 a 10µa（icbo） PNP 1V @ 400MA 、8a 100 @ 8a 、5V 25MHz
FJP5555ATU Fairchild Semiconductor FJP5555ATU 0.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
FJX1182YTF Fairchild Semiconductor fjx1182ytf -
RFQ
 ECAD 2010年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 FJX118 150 MW SC-70 （SOT323） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 100MA、1V 200MHz
FDS6994S Fairchild Semiconductor FDS6994S 0.9200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS69 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6.9a 、8.2a 21mohm @ 6.9a 、10V 3V @ 250µA 12NC @ 5V 800pf @ 15V ロジックレベルゲート
FDPF13N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF13N50NZ 1.0000
RFQ
 ECAD 4735 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック FDPF1 モスフェット（金属酸化物） TO-220F - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 12a 540mohm @ 6a 、10V 5V @ 250µA 39 NC @ 10 V 1930 pf @ 25 v - 42W
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor IRF640ACP001 0.8000
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ IRF640 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 375 -
FDT459N Fairchild Semiconductor FDT459N 0.4400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA FDT45 モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,500 nチャネル 30 V 6.5a（ta） 4.5V 、10V 35mohm @ 6.5a 、10V 2V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 365 PF @ 15 V - 3w
FGPF4533 Fairchild Semiconductor FGPF4533 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック FGPF4 標準 28.4 w TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 - 溝 330 v 200 a 1.8V @ 15V 、50a - 44 NC -
TIP32C Fairchild Semiconductor tip32c -
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 フェアチャイルド半導体 tip32c バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 476 100 V 3 a 300µA PNP 1.2V @ 375MA、3a 25 @ 1a 、4V 3MHz
IRFW630BTM_FP001 Fairchild Semiconductor IRFW630BTM_FP001 0.4300
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 200 v 9a（tc） 10V 400mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 720 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、72W（TC）
KSA1013OTA Fairchild Semiconductor KSA1013OTA 0.1100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 KSA1013 900 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 2,664 160 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 200MA 、5V 50MHz
BD241CTU Fairchild Semiconductor BD241CTU 0.3200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 BD241 40 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 100 V 3 a 300µA npn 1.2V @ 600MA、3a 25 @ 1a 、4V -
FCP21N60N Fairchild Semiconductor FCP21N60N 2.3100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3 FCP21 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 600 V - - - - -
KSA733GBU Fairchild Semiconductor KSA733GBU 0.0200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 KSA733 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 1MA 、6V 180MHz
MMBTA14-NB05232 Fairchild Semiconductor MMBTA14-NB05232 0.1400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.21.0075 3,000
FDMC8010A Fairchild Semiconductor FDMC8010A 1.1100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDMC8010 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 -
SGH10N60RUFDTU Fairchild Semiconductor SGH10N60RUFDTU 2.1000
RFQ
 ECAD 173 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 SGH10N60 標準 75 W to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 300V 、10A 、20OHM 、15V 60 ns - 600 V 16 a 30 a 2.8V @ 15V、10a 141µj（on ）、 215µj （オフ） 30 NC 15ns/36ns
KSP94TA Fairchild Semiconductor ksp94ta -
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 2,000 400 V 300 Ma 1µA PNP 750mv @ 5ma 、50ma 50 @ 10ma 、10V -
KST5087MTF-FS Fairchild Semiconductor KST5087MTF-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 50 v 50 Ma 50na（icbo） PNP 300MV @ 1MA 、10ma 250 @ 10ma 、5v 40MHz
MMBT200-FS Fairchild Semiconductor MMBT200-FS 0.0300
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 45 v 500 Ma 50NA PNP 400MV @ 20MA 、200mA 100 @ 150ma 、5v 250MHz
FDS4410A Fairchild Semiconductor FDS4410A 1.0000
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS44 モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 10a（ta） 13.5mohm @ 10a 、10V 3V @ 250µA 16 NC @ 5 V 1205 PF @ 15 V - -
FDPF5N50UTYDTU Fairchild Semiconductor FDPF5N50UTYDTU 0.6300
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDPF5N - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
FDMS9408 Fairchild Semiconductor FDMS9408 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDMS940 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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