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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AMFV、L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 3.6OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 v - 150MW
SSM6J502NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J502NU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J502 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 23.1mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 v ±8V 1800 pf @ 10 v - 1W
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J503 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 32.4mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 10 V ±8V 840 PF @ 10 V - 1W
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J114 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、4V 149mohm @ 600ma 、4V 1V @ 1MA 7.7 NC @ 4 V ±8V 331 PF @ 10 V - 500MW
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU 、LF -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J120 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4V 38mohm @ 3a 、4V 1V @ 1MA 22.3 NC @ 4 V ±8V 1484 PF @ 10 V - 500MW
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T （TE85L -
RFQ
 ECAD 5970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K315 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 27.6mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 1MA 10.1 NC @ 10 V ±20V 450 PF @ 15 V - 700MW
SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE 、LF 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6K211 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネル 20 v 3.2a（ta） 1.5V 、4.5V 47mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 10.8 NC @ 4.5 v ±10V 510 pf @ 10 v - 500MW
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6p15fe 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6P15 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 100mA 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V ロジックレベルゲート
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6p35fe 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p35 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 100mA 8OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA - 12.2pf @ 3V ロジックレベルゲート
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE （TE85L f -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J206 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.8V 、4V 130mohm @ 1a 、4V 1V @ 1MA ±8V 335 PF @ 10 V - 500MW
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6k202fe、lf 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6K202 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネル 30 V 2.3a（ta） 1.8V 、4V 85mohm @ 1.5a 、4V 1V @ 1MA ±12V 270 pf @ 10 v - 500MW
TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60D -
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 4a（ta） 10V 1.7OHM @ 2A 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1 -
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK50P04 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 50a（ta） 4.5V 、10V 8.7mohm @ 25a 、10V 2.3V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 10 V - 60W （TC）
TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65D 1.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 6a（ta） 10V 1.11ohm @ 3a 、10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 45W
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D 2.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 8a（ta） 10V 840mohm @ 4a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8002 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 22a（ta） 4.5V 、10V 8.3mohm @ 11a 、10V 2.5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 10 V - 700MW
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8005-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8005 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 26a（ta） 4.5V 、10V 6.4mohm @ 13a 、10V 2.3V @ 500µA 35 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 700MW
TPCC8A01-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8A01 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 21a（ta） 4.5V 、10V 9.9mohm @ 10.5a 、10V 2.3V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 10 v - 700MW
TPCP8004(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8004 -
RFQ
 ECAD 6792 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8004 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 8.3a（ta） 4.5V 、10V 8.5mohm @ 4.2a 、10V 2.5V @ 1MA 26 NC @ 10 V ±20V 1270 PF @ 10 V - 840MW
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8103-H （TE85LFM -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8103 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 40 v 4.8a（ta） 4.5V 、10V 40mohm @ 2.4a 、10V 2V @ 1MA 19 NC @ 10 V ±20V 800 PF @ 10 V - 840MW
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 （TE85L 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2312 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2312 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 22 Kohms
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU （TE85L） -
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J108 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.8V 、4V 158mohm @ 800ma 、4V 1V @ 1MA ±8V 250 pf @ 10 V - 500MW
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH lq 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN30008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 9.6a（tc） 10V 30mohm @ 4.8a 、10V 4V @ 100µA 11 NC @ 10 V ±20V 920 pf @ 40 v - 700MW
TK10A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W、S4VX 2.7800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 9.7a（ta） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W、S4VX 3.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 35W （TC）
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006nh l1q 0.3533
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN14006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 13a（ta） 6.5V 、10V 14mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 200µA 15 NC @ 10 V ±20V 1300 PF @ 30 V - 700MW
TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W、S4VX 2.6600
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 500mohm @ 4a 、10V 3.7V @ 400µA 18.5 NC @ 10 V ±30V 570 PF @ 300 V - 30W （TC）
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE （TE85L f 0.4700
RFQ
 ECAD 8736 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J213 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 2.6a（ta） 1.5V 、4.5V 103mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 v ±8V 290 PF @ 10 V - 500MW
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU 、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J505 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 12a（ta） 1.2V 、4.5V 12mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 37.6 NC @ 4.5 v ±6V 2700 PF @ 10 V - 1.25W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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