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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006nh l1q 0.3533
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN14006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 13a（ta） 6.5V 、10V 14mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 200µA 15 NC @ 10 V ±20V 1300 PF @ 30 V - 700MW
TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W、S4VX 2.6600
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 500mohm @ 4a 、10V 3.7V @ 400µA 18.5 NC @ 10 V ±30V 570 PF @ 300 V - 30W （TC）
TK10A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W、S4VX 2.7800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 9.7a（ta） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W、S4VX 3.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 35W （TC）
TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R503NC、L1Q -
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R503 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 40a（ta） 4.5V 、10V 2.5mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 500µA 40 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 15 V - 700MW
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1、S1x 1.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK32E12 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 60a（tc） 10V 13.8mohm @ 16a 、10V 4V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 60 v - 98W （TC）
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j304t（TE85L -
RFQ
 ECAD 9160 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J304 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 2.3a（ta） 1.8V 、4V 127mohm @ 1a 、4V - 6.1 NC @ 4 v ±8V 335 PF @ 10 V - 700MW
SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT 0.0571
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K16 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K309T （TE85L -
RFQ
 ECAD 1396 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K309 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 4.7a（ta） 1.8V 、4V 31mohm @ 4a 、4V - ±12V 1020 PF @ 10 V - 700MW
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L39 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 800mA 143mohm @ 600ma 、4v 1V @ 1MA - 268pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-GR 、L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SA2154 100 MW CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3326 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30MHz
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5095-r（te85l -
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7.5db 10V 15ma npn 50 @ 7MA 、6V 10GHz 1.8db @ 2GHz
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035 -
RFQ
 ECAD 1230 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SK2035 モスフェット（金属酸化物） SSM - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 2.5V 12OHM @ 10MA 、2.5V - 10V 8.5 PF @ 3 V - 100MW
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL （TE85L f 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SK2145 300 MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 13pf @ 10V 6 ma @ 10 v 200 mV @ 100 Na
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL （TE85L 0.5900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK880 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 6 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 Na
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P （TE12L 1.5493
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 16 v 表面マウント TO-243AA RFM04U6 470MHz モスフェット pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 2a 500 Ma 4.3W 13.3db - 6 v
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV 、L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1104 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 47 Kohms 47 Kohms
RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1107 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1108 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 （TE85L 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1310 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2711 200mw 5スソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 400 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W、S1VQ -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して To-262-3 Long Leads TK16C60 モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL 、LQ 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN11003 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（tc） 4.5V 、10V 11mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 100µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 660 PF @ 15 V - 700MW （TA ）、19W（TC）
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL 、LQ 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH8R903 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（tc） 10V 8.9mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 1MA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 PF @ 15 V - 1.6W
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH -L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN1600 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 17a（tc） 10V 16mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 200µA 19 NC @ 10 V ±20V 1600 PF @ 50 V - 700MW
TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL 、LQ 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TP89R103 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（tc） 4.5V 、10V 9.1mohm @ 7.5a 、10V 2.3V @ 100µA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 PF @ 15 V - 1W （TC）
TP86R203NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP86R203NL 、LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TP86R203 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 19a（ta） 4.5V 、10V 6.2mohm @ 9a、10v 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 15 V - 1W （TC）
2SC6026CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-GR 、L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SC6026 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 60MHz
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2111act（tpl3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2111 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
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