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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH 、L1Q 1.7300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH6400 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 13a（ta） 10V 64mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 300µA 11.2 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC、L1Q 1.2200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R203 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 45a（tc） 10V 2.2mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 15 V - 700MW
SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6K217 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネル 40 v 1.8a（ta） 1.8V 、8V 195mohm @ 1a 、8v 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 v ±12V 130 pf @ 10 v - 500MW
TK10A60E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60E、S5x -
RFQ
 ECAD 2076 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 10a（ta） 10V 750mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 25 V - 45W
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X s1f 5.9700
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK31N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 30.8a 10V 88mohm @ 9.4a 、10V 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X 、LQ 5.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK31v60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 30.8a 10V 98mohm @ 9.4a 、10V 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60X s1f 7.2100
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK39N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 38.8a 10V 65mohm @ 12.5a 、10V 3.5V @ 1.9ma 85 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 270W
TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X、S1F 11.2600
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK62N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 61.8a 10V 40mohm @ 21a 、10V 3.5V @ 3.1MA 135 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L lq 2.0100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK65S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 65a（ta） 10V 4.3mohm @ 32.5a 、10V 2.5V @ 300µA 39 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 10 V - 107W （TC）
TK7A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A90E、S4x 1.6900
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosviii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A90 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 7a（ta） 10V 2OHM @ 3.5A 、10V 4V @ 700µA 32 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH 、L1Q 1.6200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 5.6a（ta） 10V 198mohm @ 2.8a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 100 V - 1.6W
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage tpn1110enh l1q 1.6800
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN1110 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 7.2a（ta） 10V 114mohm @ 3.6a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 100 V - 700MW
TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN5900CNH 、L1Q 1.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN5900 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 9a（ta） 10V 59mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 75 v - 700MW
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n7002bfe、lm 0.3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 200mA 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V ロジックレベルゲート
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6k781g、lf 0.5100
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufbga、wlcsp SSM6K781 モスフェット（金属酸化物） 6-wcspc（1.5x1.0 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 12 v 7a（ta） 1.5V 、4.5V 18mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 250µA 5.4 NC @ 4.5 v ±8V 600 pf @ 6 v - 1.6W
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fu-y、lf 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1A01 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn4901、lf -
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1905fe 0.2700
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1905 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL 、L1Q 1.9400
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR8504 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 0.85mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W （TA）、170W（TC）
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2904 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL 、L1Q 2.9700
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPWR8004 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 0.8mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W （TA）、170W（TC）
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J133 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v ±8V 840 PF @ 10 V - 500MW
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH 、L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPW4R008 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 116a（tc） 10V 4mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 40 V - 800MW
TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH 、L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPW4R50 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a（tc） 10V 4.5mohm @ 46a 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 50 V - 800MW
SSM6K403TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K403TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K403 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 4.2a（ta） 1.5V 、4V 28mohm @ 3a 、4V 1V @ 1MA 16.8 NC @ 4 V ±10V 1050 PF @ 10 V - 500MW
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J507 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 10a（ta） 4V 、10V 20mohm @ 4a 、10V 2.2V @ 250µA 20.4 NC @ 4.5 v +20V、-25V 1150 PF @ 15 V - 1.25W
TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W 、RQ 0.8760
RFQ
 ECAD 2610 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK9P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 9.3a（ta） 10V 560mohm @ 4.6a 、10V 3.5V @ 350µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 80W
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X s1f 4.6600
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK25N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 125mohm @ 7.5a 、10V 3.5V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5、S5VX 1.7500
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 540mohm @ 4a 、10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X5 4.5900
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK25N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 140mohm @ 7.5a 、10V 4.5V @ 1.2MA 60 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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