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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1108MFV 、L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1108 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 22 Kohms 47 Kohms
RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV 、L3F -
RFQ
 ECAD 3225 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2107 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 10 Kohms 47 Kohms
SSM6K504NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K504NU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K504 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 9a（ta） 4.5V 、10V 19.5mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 4.8 NC @ 4.5 v ±20V 620 PF @ 15 V - 1.25W
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FETE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C（ta） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6L16 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nおよびpチャネル 20V 100mA 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
SSM3K37FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37FS 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C（ta） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K37 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 200ma（ta） 1.5V 、4.5V 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 12 pf @ 10 v - 100MW
2SK2995(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2995 -
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2995 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 30a（ta） 10V 68mohm @ 15a 、10V 3.5V @ 1MA 132 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 90W
2SK3068(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3068 -
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3068 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 500 V 12a（ta） 10V 520mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 10 V - 100W （TC）
TK72A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1、S4x 2.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK72A08 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 80a（ta） 10V 4.5mohm @ 40a、10V 4V @ 1MA 175 NC @ 10 V ±20V 8200 PF @ 10 V - 45W
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H （T2L1後VM -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8045 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 46a（ta） 4.5V 、10V 3.6mohm @ 23a 、10V 2.3V @ 1MA 90 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 10 V - 1.6W
TPCP8005-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8005-H （TE85L f -
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8005 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 12.9mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±20V 2150 PF @ 10 V - 840MW
TPCA8028-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8028-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv-h カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8028 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 50a（ta） 4.5V 、10V 2.8mohm @ 25a 、10V 2.3V @ 1MA 88 NC @ 10 V ±20V 7800 PF @ 10 V - 1.6W
2SJ360(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SJ360 モスフェット（金属酸化物） pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 100 pチャネル 60 V 1a（ta） 4V 、10V 730mohm @ 500ma 、10V 2V @ 1MA 6.5 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 10 v - 500MW
2SJ360(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SJ360 モスフェット（金属酸化物） pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1,000 pチャネル 60 V 1a（ta） 4V 、10V 730mohm @ 500ma 、10V 2V @ 1MA 6.5 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 10 v - 500MW
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SJ610 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 2a（ta） 10V 2.55OHM @ 1A 、10V 3.5V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±20V 381 PF @ 10 V - 20W
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2544 -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2SK2544 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 6a（ta） 10V 1.25OHM @ 3A 、10V 4V @ 1MA 30 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 10 V - 80W
2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK2845 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 1a（ta） 10V 9OHM @ 500MA 、10V 4V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 40W （TC）
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342（TE16L1 -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3342 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 250 v 4.5a（ta） 10V 1OHM @ 2.5A 、10V 3.5V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 440 PF @ 10 V - 20W （TC）
2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3700 2.5200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK3700 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 5a（ta） 2.5OHM @ 3A 、10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V 1150 PF @ 25 V - 150W
2SK3844(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3844 -
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3844 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 45a（ta） 10V 5.8mohm @ 23a 、10V 4V @ 1MA 196 NC @ 10 V ±20V 12400 PF @ 10 V - 45W
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H （TE12L、Q -
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 200 v 5.5a（ta） 10V 450mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 10 V - 1.6W
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J353 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2a（ta） 4V 、10V 150mohm @ 2a 、10V 2.2V @ 250µA 3.4 NC @ 4.5 v +20V、-25V 159 PF @ 15 V - 600MW
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT 、L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J56 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 1.4a（ta） 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 1.6 NC @ 4.5 v ±8V 100 pf @ 10 v - 500MW
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1117mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1117 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J351 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 60 V 3.5a（ta） 4V 、10V 134mohm @ 1a 、10v 2V @ 1MA 15.1 NC @ 10 V +10V、-20V 660 PF @ 10 V - 2W （TA）
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC、L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 3.6OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 v - 500MW
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y 、RQ 1.7400
RFQ
 ECAD 1946年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK290P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 100W （TC）
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y 、RQ 1.9500
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK290P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 100W （TC）
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y 、RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK380P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 9.7a（tc） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 360µA 20 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 80W
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y 、S4x 1.5300
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK560A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 7a（tc） 10V 560mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y 、S4x 1.5700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK560A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 7a（tc） 10V 560mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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