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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y 、RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK380P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 9.7a（tc） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 360µA 20 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 80W
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y 、S4x 1.5300
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK560A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 7a（tc） 10V 560mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y 、S4x 1.5700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK560A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 7a（tc） 10V 560mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J358 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.8V 、8V 22.1mohm @ 6a 、8v 1V @ 1MA 38.5 NC @ 8 V ±10V 1331 PF @ 10 V - 1W
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K345 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1W
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV、L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.1OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA 0.34 NC @ 4.5 v ±10V 36 pf @ 10 v - 500MW
TK3R1P04PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1P04PL 、RQ 1.1600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK3R1P04 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 58a 4.5V 、10V 3.1mohm @ 29a 、10V 2.4V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 87W
TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL 、RQ 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK4R4P06 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 60 V 58a 4.5V 、10V 4.4mohm @ 29a 、10V 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ±20V 3280 PF @ 30 V - 87W
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fu-y、lf 0.2700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B04 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 120 @ 2MA 、6V 150MHz
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1307 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311 0.2200
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1311 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1403 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn2114mfv、l3f 0.2000
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2114 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 1 KOHMS 10 Kohms
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2401 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J216 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 12 v 4.8a（ta） 1.5V 、4.5V 32mohm @ 3.5a 、4.5V 1V @ 1MA 12.7 NC @ 4.5 v ±8V 1040 pf @ 12 v - 700MW
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU 、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L12 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 、20V 500ma（ta） 145mohm @ 500ma 、4.5v 、260mohm @ 250ma 、4v 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V、218pf @ 10V -
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z、S1F 11.2700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK040N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 57a（ta） 10V 40mohm @ 28.5a 、10V 4V @ 2.85MA 105 NC @ 10 V ±30V 6250 PF @ 300 v - 360W
TK160F10N1,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1、LXGQ 3.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 175°C 表面マウント TO-263-3 TK160F10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8541.21.0095 1,000 nチャネル 100 V 160a（ta） 10V 2.4mohm @ 80a 、10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 V ±20V 8510 pf @ 10 v - 375W
TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB、LXGQ 2.7300
RFQ
 ECAD 885 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK1R4F04 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 40 v 160a（ta） 6V 、10V 1.9mohm @ 80a 、6V 3V @ 500µA 103 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 10 V - 205W
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC 、L1XHQ 1.2500
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN7R104 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 7.1mohm @ 10a 、10v 2.5V @ 200µA 21 NC @ 10 V ±20V 1290 PF @ 10 V - 840MW
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L 、LXHQ 0.9400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ20S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 20a（ta） 6V 、10V 22.2mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 37 NC @ 10 V +10V、-20V 1850 pf @ 10 v - 41W
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L 、LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK100S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 100a（ta） 4.5V 、10V 2.3mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 500µA 76 NC @ 10 V ±20V 5490 PF @ 10 V - 180W
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L 、LXHQ 1.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK40S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 40a（ta） 4.5V 、10V 18mohm @ 20a 、10v 2.5V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 1650 PF @ 10 V - 88.2W
TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L 、LXHQ 1.4100
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ60S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 60a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 30a 、10V 3V @ 1MA 125 NC @ 10 V +10V、-20V 6510 PF @ 10 V - 90W
TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L 、LXHQ 1.0800
RFQ
 ECAD 9632 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ40S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 40a（ta） 6V 、10V 9.1mohm @ 20a 、10v 3V @ 1MA 83 NC @ 10 V +10V、-20V 4140 PF @ 10 V - 68W （TC）
XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB 、L1XHQ 1.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPW6R30 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L 、LXHQ 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ60S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 60a（ta） 6V 、10V 11.2mohm @ 30a 、10v 3V @ 1MA 156 NC @ 10 V +10V、-20V 7760 PF @ 10 V - 100W （TC）
SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N17FU 0.4900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N17 モスフェット（金属酸化物） 200MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 50V 100ma（ta） 20OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 1µA - 7PF @ 3V -
SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6l14fe 0.4300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6L14 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nおよびpチャネル 20V 800ma 240mohm @ 500MA 、4.5V、300mom @ 400ma 、4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V、1.76NC @ 4.5V 90pf @ 10V、110pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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