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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 -
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
2SJ668(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C 表面マウント to-252-3 2SJ668 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 2SJ668（TE16L1NQ ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 5a（ta） 4V 、10V 170mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 10 V - 20W （TC）
TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W、S1x 2.8500
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 TK7E80 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 6.5a（ta） 10V 950mohm @ 3.3a 、10V 4V @ 280µA 13 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 300 v - 110W
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W、S1x 3.6100
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 TK12E80 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 11.5a（ta） 10V 450mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 570µA 23 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 300 v - 165W
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL 、L1Q 1.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR9203 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 2.1V @ 500µA 80 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 15 V - 132W
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL 、L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH7R006 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 60a（tc） 4.5V 、10V 13.5mohm @ 10a 、4.5V 2.5V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1875 pf @ 30 v - 81W
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1307 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311 0.2200
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1311 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1403 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn2114mfv、l3f 0.2000
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2114 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 1 KOHMS 10 Kohms
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2401 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1117mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1117 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y 、RQ 1.7400
RFQ
 ECAD 1946年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK290P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 100W （TC）
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y 、RQ 1.9500
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK290P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 100W （TC）
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y 、RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK380P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 9.7a（tc） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 360µA 20 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 80W
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y 、S4x 1.5300
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK560A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 7a（tc） 10V 560mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y 、S4x 1.5700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK560A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 7a（tc） 10V 560mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J358 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.8V 、8V 22.1mohm @ 6a 、8v 1V @ 1MA 38.5 NC @ 8 V ±10V 1331 PF @ 10 V - 1W
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K345 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1W
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV、L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.1OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA 0.34 NC @ 4.5 v ±10V 36 pf @ 10 v - 500MW
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J351 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 60 V 3.5a（ta） 4V 、10V 134mohm @ 1a 、10v 2V @ 1MA 15.1 NC @ 10 V +10V、-20V 660 PF @ 10 V - 2W （TA）
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC、L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 3.6OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 v - 500MW
TK3R1P04PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1P04PL 、RQ 1.1600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK3R1P04 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 58a 4.5V 、10V 3.1mohm @ 29a 、10V 2.4V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 87W
TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL 、RQ 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK4R4P06 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 60 V 58a 4.5V 、10V 4.4mohm @ 29a 、10V 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ±20V 3280 PF @ 30 V - 87W
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J216 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 12 v 4.8a（ta） 1.5V 、4.5V 32mohm @ 3.5a 、4.5V 1V @ 1MA 12.7 NC @ 4.5 v ±8V 1040 pf @ 12 v - 700MW
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU 、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L12 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 、20V 500ma（ta） 145mohm @ 500ma 、4.5v 、260mohm @ 250ma 、4v 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V、218pf @ 10V -
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J501 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 10a（ta） 1.5V 、4.5V 15.3mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 29.9 NC @ 4.5 v ±8V 2600 PF @ 10 V - 1W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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