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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SC4881(CANO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881 -
RFQ
 ECAD 8922 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4881 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） npn 400MV @ 125MA 、2.5a 100 @ 1a、1V 100MHz
RN2108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2108MFV 、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 3075 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2108 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 22 Kohms 47 Kohms
RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106ACT -
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1106 100 MW CST3 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1608 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1608 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
TK12P60W,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W -
RFQ
 ECAD 2958 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 TK12P60 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK12P60WRVQ（ s ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 340mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 100W （TC）
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM 0.6800
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN19008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 34a（tc） 6V 、10V 19mohm @ 17a 、10V 3.5V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 40 v - 630MW
TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL 、LQ 0.7800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R803 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 48a 4.5V 、10V 4.8mohm @ 24a 、10V 2.1V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 15 v - 830MW
TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114Y 、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA114 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 90 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6G18 モスフェット（金属酸化物） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 112mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v ショットキーダイオード（分離） 1W
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N62 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 800ma（ta） 85mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L40 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 1.6a 122mohm @ 1a、10v 2.6V @ 1MA 、2V @ 1MA 5.1NC @ 10V、2.9NC @ 10V 180pf @ 15V 、120pf @ 15V ロジックレベルゲート、4Vドライブ
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15F 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J15 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 200MW
SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J412 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 42.7mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v ±8V 840 PF @ 10 V - 1W
SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU 、LF 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K406 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 4.4a（ta） 4.5V 、10V 25mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 1MA 12.4 NC @ 10 V ±20V 490 PF @ 15 V - 500MW
SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J135TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J135 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3a（ta） 1.5V 、4.5V 103mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v - 500MW
SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV、L3F 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-723 SSM3J66 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 800ma（ta） 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 1.6 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 100 pf @ 10 v - 150MW
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-smd（5 リード）、フラットリード SSM5H08 モスフェット（金属酸化物） UFV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 1.5a（ta） 2.5V 、4V 160mohm @ 750ma 、4V 1.1V @ 100µA ±12V 125 pf @ 10 v ショットキーダイオード（分離） 500MW
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J401TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J401 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2.5a（ta） 4V 、10V 73mohm @ 2a 、10V 2.6V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±20V 730 PF @ 15 V - 500MW
SSM6J402TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J402TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J402 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2a（ta） 4V 、10V 117mohm @ 1a 、10V 2.6V @ 1MA 5.3 NC @ 10 V ±20V 280 PF @ 15 V - 500MW
SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J422 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 42.7mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
SSM6J424TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J424TU 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J424 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 22.5mohm @ 6a 、4.5V 1V @ 1MA 23.1 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 1650 PF @ 10 V - 1W
SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K404TU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K404 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 3a（ta） 1.5V 、4V 55mohm @ 2a 、4V 1V @ 1MA 5.9 NC @ 4 V ±10V 400 pf @ 10 V - 500MW
SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K407TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K407 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 2a（ta） 4V 、10V 300mohm @ 1a 、10V 2V @ 1MA 6 NC @ 10 V ±20V 150 pf @ 10 V - 500MW
SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P39TU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6p39 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 1.5a（ta） 213mohm @ 1a 、4V 1V @ 1MA 6.4NC @ 4V 250pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P69NU 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6P69 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 4a（ta） 45mohm @ 3.5a 、10V 1.2V @ 1MA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1701 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1701 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1711je 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1711 100MW ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2701 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2701 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2705 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2705 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN2706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2706 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2706 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
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    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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