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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2967fe -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2967 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056 0.1275
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA2056 625 MW TSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 2 a 100na（icbo） PNP 200mV @ 33MA、1a 200 @ 300MA 、2V -
2SC5930(TPF2,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC5930 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 100µa（icbo） npn 1V @ 75MA 、600mA 40 @ 200ma 、5v -
RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV 、L3F -
RFQ
 ECAD 5453 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1105 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 2.2 KOHMS 47 Kohms
2SD1221-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1221-Y -
RFQ
 ECAD 3084 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SD1221 1 W pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 200 60 V 3 a 100µa（icbo） npn 1V @ 300MA、3a 100 @ 500MA 、5V 3MHz
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fe-gr、lf 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1C01 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE 、LM 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p36 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 330ma 1.31OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA 1.2NC @ 4V 43pf @ 10V ロジックレベルゲート
2SC4793,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 2420 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
RN1909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1909fe 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1909 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107 0.2300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2107 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N39 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 1.6a（ta） 119mohm @ 1a 、4v 1V @ 1MA 7.5NC @ 4V 260pf @ 10V -
2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1586 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016 -
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK4016 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 13a（ta） 10V 500mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 1MA 62 NC @ 10 V ±30V 3100 PF @ 25 V - 50W （TC）
2SC2705-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-Y （TE6 -
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2705 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 1MA 、10ma 120 @ 10MA 、5V 200MHz
RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn4904、lf 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4904 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
2SB1457,T6TOTOF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 -
RFQ
 ECAD 2446 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SB1457 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 100 V 2 a 10µa（icbo） PNP 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 50MHz
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910 -
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2910 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713-GR 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2713 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 （T6Muratafm -
RFQ
 ECAD 5065 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC5201T6MURATAFM ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4901 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2511 0.0865
RFQ
 ECAD 5376 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2511 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 -
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2117 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
TK8R2A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2A06PL 、S4x 1.0200
RFQ
 ECAD 1381 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8R2A06 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 50a（tc） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 8a 、4.5V 2.5V @ 300µA 28.4 NC @ 10 V ±20V 1990 pf @ 25 v - 36W （TC）
TK4P55DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA （T6RS-Q） -
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK4P55 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK4P55DAT6RSSQ ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 550 V 3.5a（ta） 10V 2.45OHM @ 1.8A 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 80W
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120 -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8120 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 45a（ta） 4.5V 、10V 3mohm @ 22.5a 、10V 2V @ 1MA 190 NC @ 10 V +20V、-25V 7420 PF @ 10 V - 1.6W
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2507 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC008 0.8400
RFQ
 ECAD 6705 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-251-3 TTC008 1.1 w pw-mold2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TTC008Q ear99 8541.29.0095 200 285 v 1.5 a 10µa（icbo） npn 1V @ 62.5MA 、500mA 80 @ 1MA 、5V -
RN4611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4611 0.0865
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4611 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN2604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2604 0.0865
RFQ
 ECAD 3829 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2604 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4606 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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