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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
2SA1837,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
2SA1428-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-Y、T2F （J -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1428 900 MW MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
2SC2235-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6kehf（ m -
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36MFV 、L3F 0.4000
RFQ
 ECAD 358 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K36 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 500ma（ta） 1.5V 、5V 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23 NC @ 4 V ±10V 46 PF @ 10 V - 150MW
RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2903 -
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2903 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4906fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4906 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 47kohms
RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4604 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4604 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage hn4k03jute85lf -
RFQ
 ECAD 2107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4K03 モスフェット（金属酸化物） 5スソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 2.5V 12OHM @ 10MA 、2.5V - 10V 8.5 PF @ 3 V - 200MW
2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906 -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK3906 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 330mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±30V 4250 PF @ 25 V - 150W
SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J65CTC、L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J65 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 700ma（ta） 1.2V 、4.5V 500MOHM @ 500MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 48 PF @ 10 V - 500MW
2SA1930(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
RFQ
 ECAD 5685 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 RN1441 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30 MHz 5.6 KOHMS
2SA1954BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954BTE85LF -
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1954 100 MW SC-70 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 10ma 、200ma 500 @ 10MA 、2V 130MHz
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2703je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2703 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
TTC1949-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-Y 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TTC1949 200 MW s-mini ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 120 @ 100MA、1V 100MHz
TPCA8064-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8064-H -
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8064 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 10 v - 1.6W
RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE 、LF 0.2600
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2904 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
2SD2695(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 -
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2695 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2603 0.4700
RFQ
 ECAD 3159 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2603 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFU 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6p35 モスフェット（金属酸化物） 285MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 250ma（ta） 1.4OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA - 42pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
2SC5549,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5549 -
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5549 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 400 V 1 a 100µa（icbo） npn 1V @ 25MA、200mA 20 @ 40ma 、5v -
HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fyte85lf 0.3300
RFQ
 ECAD 3827 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1C01 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1930,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 7793 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-GR 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1163 150 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
SSM6K513NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K513NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C（ta） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K513 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 8.9mohm @ 4a 、10V 2.1V @ 100µA 7.5 NC @ 4.5 v ±20V 1130 PF @ 15 V - 1.25W
RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2961 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357R 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K357 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 650ma（ta） 3V、5V 1.8OHM @ 150MA 、5V 2V @ 1MA 1.5 NC @ 5 V ±12V 60 pf @ 12 v - 1W
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111p 0.3863
RFQ
 ECAD 3458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA MT3S111 1W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1,000 10.5db 6V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 8GHz 1.25db @ 1GHz
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6usnf（m -
RFQ
 ECAD 4600 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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