画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSM6L12TU 、LF | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6L12 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | UF6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 30V 、20V | 500ma(ta) | 145mohm @ 500ma 、4.5v 、260mohm @ 250ma 、4v | 1.1V @ 100µA | - | 245pf @ 10V、218pf @ 10V | - | ||||||
![]() | SSM6J501NU 、LF | 0.4900 | ![]() | 123 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | SSM6J501 | モスフェット(金属酸化物) | 6-udfnb (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 10a(ta) | 1.5V 、4.5V | 15.3mohm @ 4a 、4.5V | 1V @ 1MA | 29.9 NC @ 4.5 v | ±8V | 2600 PF @ 10 V | - | 1W | ||||
![]() | TJ15P04M3 | 0.8700 | ![]() | 878 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TJ15P04 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 40 v | 15a(ta) | 4.5V 、10V | 36mohm @ 7.5a 、10V | 2V @ 100µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 1100 PF @ 10 V | - | 29W | ||||
![]() | TJ20S04M3L (T6L1、NQ | 1.3300 | ![]() | 9822 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TJ20S04 | モスフェット(金属酸化物) | DPAK+ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 40 v | 20a(ta) | 6V 、10V | 22.2mohm @ 10a 、10V | 3V @ 1MA | 37 NC @ 10 V | +10V、-20V | 1850 pf @ 10 v | - | 41W | ||||
![]() | TK11A45D | 1.8600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK11A45 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 450 v | 11a(ta) | 10V | 620mohm @ 5.5a 、10V | 4V @ 1MA | 20 NC @ 10 V | ±30V | 1050 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
![]() | TK13A55DA | 2.8600 | ![]() | 3819 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK13A55 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 550 V | 12.5a(ta) | 10V | 480mohm @ 6.3a 、10V | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 v | - | 45W | ||||
![]() | TK16A45D | - | ![]() | 9568 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK16A45 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 450 v | 16a | 270mohm @ 8a、10V | - | - | - | ||||||||
![]() | TK20A25D、S5Q(M | - | ![]() | 8354 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK20A25 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 250 v | 20a(ta) | 10V | 100mohm @ 10a 、10V | 3.5V @ 1MA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2550 PF @ 100 V | - | 45W | |||||
![]() | TK20P04M1 | - | ![]() | 3613 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK20P04 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 40 v | 20a(ta) | 4.5V 、10V | 29mohm @ 10a 、10V | 2.3V @ 100µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 985 PF @ 10 V | - | 27W (TC) | ||||
![]() | TK20S04K3L | - | ![]() | 2714 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiv | テープ&リール( tr) | 廃止 | 175°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK20S04 | モスフェット(金属酸化物) | DPAK+ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 40 v | 20a(ta) | 6V 、10V | 14mohm @ 10a 、10v | 3V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 820 pf @ 10 v | - | 38W | ||||
![]() | TK25E06K3 | - | ![]() | 4655 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiv | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | TK25E06 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 25a(ta) | 18mohm @ 12.5a 、10V | - | 29 NC @ 10 V | - | 60W (TC) | |||||||
![]() | TK3A65D | 1.6100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK3A65 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 3a(ta) | 10V | 2.25OHM @ 1.5A 、10V | 4.4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 540 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
![]() | TK45P03M1 | - | ![]() | 5821 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 表面マウント | to-252-3 | TK45P03 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 30 V | 45a(ta) | 4.5V 、10V | 9.7mohm @ 22.5a 、10V | 2.3V @ 200µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1500 PF @ 10 V | - | - | ||||
![]() | TK4A55D | - | ![]() | 6988 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK4A55 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 550 V | 4a(ta) | 10V | 1.88OHM @ 2A 、10V | 4.4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 490 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
![]() | TK4P60DB(T6RSS-Q) | - | ![]() | 1320 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK4P60 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | TK4P60DBT6RSSQ | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 600 V | 3.7a(ta) | 10V | 2OHM @ 1.9A 、10V | 4.4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 540 PF @ 25 V | - | 80W | |||
![]() | TK60P03M1 | - | ![]() | 6408 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK60P03 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 30 V | 60a(ta) | 4.5V 、10V | 6.4mohm @ 30a 、10v | 2.3V @ 500µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2700 PF @ 10 V | - | 63W | ||||
![]() | TK6A45DA | 1.2500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK6A45 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 450 v | 5.5a(ta) | 10V | 1.35OHM @ 2.8A 、10V | 4.4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 490 PF @ 25 V | - | - | ||||
![]() | TK6A50D | 1.3700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK6A50 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 6a(ta) | 10V | 1.4OHM @ 3A 、10V | 4.4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 540 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
![]() | TK7A45DA | 1.4000 | ![]() | 5114 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK7A45 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 450 v | 6.5a(ta) | 10V | 1.2OHM @ 3.3A 、10V | 4.4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 540 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
![]() | TK7A55D | 1.6000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK7A55 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 550 V | 7a(ta) | 10V | 1.25OHM @ 3.5A 、10V | 4.4V @ 1MA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 700 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
![]() | TK80S04K3L | - | ![]() | 4801 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiv | テープ&リール( tr) | 廃止 | 175°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK80S04 | モスフェット(金属酸化物) | DPAK+ | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 40 v | 80a(ta) | 6V 、10V | 3.1mohm @ 40a 、10v | 3V @ 1MA | 87 NC @ 10 V | ±20V | 4340 PF @ 10 V | - | 100W (TC) | ||||
![]() | TK80S06K3L | - | ![]() | 7483 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiv | テープ&リール( tr) | 廃止 | 175°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK80S06 | モスフェット(金属酸化物) | DPAK+ | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 60 V | 80a(ta) | 6V 、10V | 5.5mohm @ 40a 、10V | 3V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 4200 PF @ 10 V | - | 100W (TC) | ||||
![]() | TK9A45D | 1.7100 | ![]() | 8473 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK9A45 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 450 v | 9a(ta) | 10V | 770mohm @ 4.5a 、10V | 4V @ 1MA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 800 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
![]() | TPC6008-H (TE85L 、FM | - | ![]() | 7556 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | TPC6008 | モスフェット(金属酸化物) | vs-6(2.9x2.8 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 5.9a(ta) | 4.5V 、10V | 60mohm @ 3a 、10V | 2.3V @ 100µA | 4.8 NC @ 10 V | ±20V | 300 pf @ 10 V | - | 700MW | ||||
![]() | TPC6012 | - | ![]() | 5714 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiv | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | TPC6012 | モスフェット(金属酸化物) | vs-6(2.9x2.8 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 6a(ta) | 2.5V 、4.5V | 20mohm @ 3a 、4.5v | 1.2V @ 200µA | 9 NC @ 5 V | ±12V | 630 PF @ 10 V | - | 700MW | ||||
![]() | TPC6113 | - | ![]() | 4053 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | TPC6113 | モスフェット(金属酸化物) | vs-6(2.9x2.8 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 55mohm @ 2.5a 、4.5V | 1.2V @ 200µA | 10 NC @ 5 V | ±12V | 690 PF @ 10 V | - | 700MW | ||||
![]() | TPC8062-H | - | ![]() | 2139 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) | TPC8062 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 18a(ta) | 4.5V 、10V | 5.8mohm @ 9a、10V | 2.3V @ 300µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 2900 PF @ 10 V | - | 1W | ||||
![]() | TPC8092 | - | ![]() | 8376 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TPC8092 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 15a(ta) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 7.5a 、10V | 2.3V @ 200µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1800 pf @ 10 v | - | 1W | ||||
![]() | TPC8134 | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TPC8134 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 40 v | 5a(ta) | 4.5V 、10V | 52mohm @ 2.5a 、10V | 2V @ 100µA | 20 NC @ 10 V | +20V、-25V | 890 PF @ 10 V | - | 1W | ||||
![]() | TPC8221-H | - | ![]() | 1370 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TPC8221 | モスフェット(金属酸化物) | 450MW | 8ソップ | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 6a | 25mohm @ 3a 、10V | 2.3V @ 100µA | 12NC @ 10V | 830pf @ 10V | - |
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