SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大)
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU 、LF 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L12 モスフェット(金属酸化物) 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 、20V 500ma(ta) 145mohm @ 500ma 、4.5v 、260mohm @ 250ma 、4v 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V、218pf @ 10V -
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU 、LF 0.4900
RFQ
ECAD 123 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J501 モスフェット(金属酸化物) 6-udfnb (2x2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 10a(ta) 1.5V 、4.5V 15.3mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 29.9 NC @ 4.5 v ±8V 2600 PF @ 10 V - 1W
TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3 0.8700
RFQ
ECAD 878 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TJ15P04 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 15a(ta) 4.5V 、10V 36mohm @ 7.5a 、10V 2V @ 100µA 26 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V - 29W
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L (T6L1、NQ 1.3300
RFQ
ECAD 9822 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 175°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TJ20S04 モスフェット(金属酸化物) DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 20a(ta) 6V 、10V 22.2mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 37 NC @ 10 V +10V、-20V 1850 pf @ 10 v - 41W
TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A45D 1.8600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A45 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 11a(ta) 10V 620mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 40W (TC)
TK13A55DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A55DA 2.8600
RFQ
ECAD 3819 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK13A55 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 12.5a(ta) 10V 480mohm @ 6.3a 、10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 45W
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D -
RFQ
ECAD 9568 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A45 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 16a 270mohm @ 8a、10V - - -
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D、S5Q(M -
RFQ
ECAD 8354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK20A25 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 20a(ta) 10V 100mohm @ 10a 、10V 3.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 100 V - 45W
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1 -
RFQ
ECAD 3613 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TK20P04 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 20a(ta) 4.5V 、10V 29mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 985 PF @ 10 V - 27W (TC)
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L -
RFQ
ECAD 2714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ&リール( tr) 廃止 175°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TK20S04 モスフェット(金属酸化物) DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 20a(ta) 6V 、10V 14mohm @ 10a 、10v 3V @ 1MA 18 NC @ 10 V ±20V 820 pf @ 10 v - 38W
TK25E06K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3 -
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 TK25E06 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 25a(ta) 18mohm @ 12.5a 、10V - 29 NC @ 10 V - 60W (TC)
TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D 1.6100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK3A65 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 3a(ta) 10V 2.25OHM @ 1.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W (TC)
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1 -
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ&リール( tr) 廃止 - 表面マウント to-252-3 TK45P03 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 45a(ta) 4.5V 、10V 9.7mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1500 PF @ 10 V - -
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55D -
RFQ
ECAD 6988 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A55 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 4a(ta) 10V 1.88OHM @ 2A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 35W (TC)
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB(T6RSS-Q) -
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TK4P60 モスフェット(金属酸化物) d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TK4P60DBT6RSSQ ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 3.7a(ta) 10V 2OHM @ 1.9A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 80W
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1 -
RFQ
ECAD 6408 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TK60P03 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 60a(ta) 4.5V 、10V 6.4mohm @ 30a 、10v 2.3V @ 500µA 40 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 10 V - 63W
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA 1.2500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A45 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 5.5a(ta) 10V 1.35OHM @ 2.8A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - -
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A50D 1.3700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A50 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 6a(ta) 10V 1.4OHM @ 3A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W (TC)
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA 1.4000
RFQ
ECAD 5114 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A45 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 6.5a(ta) 10V 1.2OHM @ 3.3A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W (TC)
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A55D 1.6000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A55 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 7a(ta) 10V 1.25OHM @ 3.5A 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W (TC)
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L -
RFQ
ECAD 4801 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ&リール( tr) 廃止 175°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TK80S04 モスフェット(金属酸化物) DPAK+ - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 80a(ta) 6V 、10V 3.1mohm @ 40a 、10v 3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 4340 PF @ 10 V - 100W (TC)
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L -
RFQ
ECAD 7483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ&リール( tr) 廃止 175°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TK80S06 モスフェット(金属酸化物) DPAK+ - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 80a(ta) 6V 、10V 5.5mohm @ 40a 、10V 3V @ 1MA 85 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 10 V - 100W (TC)
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D 1.7100
RFQ
ECAD 8473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A45 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 9a(ta) 10V 770mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 800 PF @ 25 V - 40W (TC)
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H (TE85L 、FM -
RFQ
ECAD 7556 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6008 モスフェット(金属酸化物) vs-6(2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 5.9a(ta) 4.5V 、10V 60mohm @ 3a 、10V 2.3V @ 100µA 4.8 NC @ 10 V ±20V 300 pf @ 10 V - 700MW
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 -
RFQ
ECAD 5714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6012 モスフェット(金属酸化物) vs-6(2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a(ta) 2.5V 、4.5V 20mohm @ 3a 、4.5v 1.2V @ 200µA 9 NC @ 5 V ±12V 630 PF @ 10 V - 700MW
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113 -
RFQ
ECAD 4053 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6113 モスフェット(金属酸化物) vs-6(2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5a(ta) 2.5V 、4.5V 55mohm @ 2.5a 、4.5V 1.2V @ 200µA 10 NC @ 5 V ±12V 690 PF @ 10 V - 700MW
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H -
RFQ
ECAD 2139 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) TPC8062 モスフェット(金属酸化物) 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 18a(ta) 4.5V 、10V 5.8mohm @ 9a、10V 2.3V @ 300µA 34 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 1W
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092 -
RFQ
ECAD 8376 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) TPC8092 モスフェット(金属酸化物) 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a(ta) 4.5V 、10V 9mohm @ 7.5a 、10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 10 v - 1W
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134 0.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) TPC8134 モスフェット(金属酸化物) 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 40 v 5a(ta) 4.5V 、10V 52mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 20 NC @ 10 V +20V、-25V 890 PF @ 10 V - 1W
TPC8221-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8221-H -
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) TPC8221 モスフェット(金属酸化物) 450MW 8ソップ ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 2,500 2 nチャンネル(デュアル) 30V 6a 25mohm @ 3a 、10V 2.3V @ 100µA 12NC @ 10V 830pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫