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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2111ct -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2111 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 10 Kohms
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU 、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N44 モスフェット（金属酸化物） 200MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 100ma（ta） 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V -
RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1401 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-O -
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2859 150 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 300MHz
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5P15 モスフェット（金属酸化物） 200MW USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 100ma（ta） 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404S 、LF -
RFQ
 ECAD 8748 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1404 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1 -
RFQ
 ECAD 3359 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN49A1 200mw US6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 2.2KOHMS 、22kohms 47kohms
RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305 、LF 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1305 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE 、L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6N16 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 100ma（ta） 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y、T6KOJPF（j -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA965 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4986fe、lf（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4986 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1508 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1508 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN1303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1303 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
TW045N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW045N120C、S1F 23.7100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 40a（tc） 18V 59mohm @ 20a、18V 5V @ 6.7MA 57 NC @ 18 V +25V、-10V 1969 PF @ 800 v - 182W
2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-O 0.0592
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1313 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 200MHz
2SC2655-Y,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y 、wnlf（j -
RFQ
 ECAD 1986年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TTA1713 200 MW s-mini ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 400mv @ 50ma 、500ma 180 @ 100MA、1V 80MHz
RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4608 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4608 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093、L1Q -
RFQ
 ECAD 7998 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8093 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 TPCC8093L1Q ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 20 v 21a（ta） 2.5V 、4.5V 5.8mohm @ 10.5a 、4.5V 1.2V @ 500µA 16 NC @ 5 V ±12V 1860 pf @ 10 v - 1.9W
RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2903fe 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2903 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 -
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2695 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
RN2401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2401 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E、S5x -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 12a（ta） 10V 520mohm @ 6a 、10V 4V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 25 V - 45W
RN2407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2407 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J414 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 22.5mohm @ 6a 、4.5V 1V @ 1MA 23.1 NC @ 4.5 v ±8V 1650 PF @ 10 V - 1W
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2910fe 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2910 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1111mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1111 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
RN4981FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4981fe 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4981 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 4.7kohms
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 MT3S111 700mw s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12db 6V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 11.5GHz 1.2DB @ 1GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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