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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866 -
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2SK2866 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 10a（ta） 10V 750mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 10 V - 125W
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage hn3c10fute85lf 0.5600
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN3C10 200mw US6 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 11.5dB 12V 80ma 2 NPN （デュアル） 80 @ 20ma 、10V 7GHz 1.1DB @ 1GHz
SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002CFU 、LF 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 285MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 170ma 3.9OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.35NC @ 4.5V 17pf @ 10V -
2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3325-y 、lf 0.3200
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3325 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 100MA、1V 300MHz
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 MT3S111 700mw s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12db 6V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 11.5GHz 1.2DB @ 1GHz
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 -
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SB1457 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 100 V 2 a 10µa（icbo） PNP 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 50MHz
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J414 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 22.5mohm @ 6a 、4.5V 1V @ 1MA 23.1 NC @ 4.5 v ±8V 1650 PF @ 10 V - 1W
RN4981FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4981fe 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4981 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 4.7kohms
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357R 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K357 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 650ma（ta） 3V、5V 1.8OHM @ 150MA 、5V 2V @ 1MA 1.5 NC @ 5 V ±12V 60 pf @ 12 v - 1W
2SC2235-O(FA1,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O -
RFQ
 ECAD 9631 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1111mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1111 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
2SC2655-Y(T6ND1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y（t6nd1、af -
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK6A60DSTA4QM ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 6a（ta） 10V 1.25OHM @ 3A 、10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 800 PF @ 25 V - 40W （TC）
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2110 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2110 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms
2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3303-y（t6l1 1.3500
RFQ
 ECAD 206 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-251-3 2SC3303 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 2,000 80 v 5 a 1µa（icbo） npn 400MV @ 150MA、3a 120 @ 1a、1V 120MHz
RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1318 0.2800
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1318 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN2115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2115 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3 、S4Q -
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TJ9A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 100 V 9a（ta） 10V 170mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 47 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 19W （TC）
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111p 0.3863
RFQ
 ECAD 3458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA MT3S111 1W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1,000 10.5db 6V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 8GHz 1.25db @ 1GHz
RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1306 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1112 -
RFQ
 ECAD 1237 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1112 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 、LF -
RFQ
 ECAD 6480 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FV 、L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-723 SSM3J15 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 150MW
RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4610 0.4700
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4610 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z 0.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 2SA1955 100 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 12 v 400 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 10ma 、200ma 300 @ 10MA 、2V 130MHz
RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn2904 -
RFQ
 ECAD 4954 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2967 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6L61 モスフェット（金属酸化物） - 6-udfn （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 4a - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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