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離散半導体製品（2160）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
S40J GeneSiC Semiconductor S40J 6.3770
RFQ
 ECAD 5569 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S40JGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜190°C 40a -
S40Y GeneSiC Semiconductor S40Y 8.4675
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S40ygn ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1600 v 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜160°C 40a -
S6K GeneSiC Semiconductor S6K 3.8625
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S6KGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 6 a 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
S6MR GeneSiC Semiconductor S6MR 3.8625
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S6M 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S6MRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 6 a 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
S6Q GeneSiC Semiconductor S6Q 3.8625
RFQ
 ECAD 6053 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S6QGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 6 a 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
S70D GeneSiC Semiconductor S70D 9.8985
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70DGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
S70GR GeneSiC Semiconductor S70GR 9.8985
RFQ
 ECAD 9048 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S70g 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70GRGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
S70JR GeneSiC Semiconductor S70Jr 9.8985
RFQ
 ECAD 6030 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S70J 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70Jrgn ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
S70KR GeneSiC Semiconductor S70kr 9.8985
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S70K 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70krgn ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
S70VR GeneSiC Semiconductor S70VR 10.1310
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S70V 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70VRGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1400 v 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 70a -
S85BR GeneSiC Semiconductor S85BR 15.0400
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S85B 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S85BRGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
S85GR GeneSiC Semiconductor S85GR 11.8980
RFQ
 ECAD 7575 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S85G 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S85GRGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
S85YR GeneSiC Semiconductor S85yr 15.4200
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S85Y 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1600 v 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
W01M GeneSiC Semiconductor W01M -
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -65°C〜125°C 穴を通して 4 円、 wom 標準 WOM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 a 10 µA @ 100 V 1.5 a 単相 100 V
FR12D02 GeneSiC Semiconductor FR12D02 8.2245
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR12D02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 200 v 800 mV @ 12 a 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
FR12D05 GeneSiC Semiconductor FR12D05 6.7605
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR12D05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 200 v 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
FR12J05 GeneSiC Semiconductor FR12J05 6.7605
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR12J05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
FR16BR02 GeneSiC Semiconductor FR16BR02 8.5020
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR16BR02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 900 mV @ 16 a 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
FR16J02 GeneSiC Semiconductor FR16J02 8.1330
RFQ
 ECAD 3747 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR16J02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 900 mV @ 16 a 250 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR16JR05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 1.1 V @ 16 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
FR20A02 GeneSiC Semiconductor FR20A02 9.0510
RFQ
 ECAD 8652 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20A02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR20AR02 GeneSiC Semiconductor FR20AR02 9.3555
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20AR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR20BR02 GeneSiC Semiconductor FR20BR02 9.3555
RFQ
 ECAD 9647 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20BR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR20G02 GeneSiC Semiconductor FR20G02 9.0510
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20G02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR20JR02 GeneSiC Semiconductor FR20JR02 9.3555
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20JR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1 V @ 20 a 250 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR30BR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 30 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR30J02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1 V @ 30 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
FR30KR05 GeneSiC Semiconductor FR30KR05 10.5930
RFQ
 ECAD 4390 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR30KR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 800 V 1 V @ 30 a 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
FR30M05 GeneSiC Semiconductor FR30M05 10.3155
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR30M05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 1000 V 1 V @ 30 a 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
FR40GR05 GeneSiC Semiconductor FR40GR05 13.8360
RFQ
 ECAD 6130 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR40GR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 40 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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