RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX84B18-E3-08	0.2400	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B18	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000		50 Na @ 12.6 v	18 v	45オーム
BZX84B20-HE3-08	0.0341	RFQ	6271	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B20	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	15,000		50 Na @ 14 V	20 v	55オーム
BZX84B22-G3-08	0.0389	RFQ	2257	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B22	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	15,000		50 Na @ 15.4 v	22 v	55オーム
BZX84B22-HE3-08	0.0341	RFQ	5252	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B22	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	15,000		50 Na @ 15.4 v	22 v	55オーム
BZX84B2V7-HE3-08	0.2600	RFQ	770	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B2V7	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000		20 µA @ 1 V	2.7 v	100オーム
BZX84B30-G3-08	0.2900	RFQ	4639	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B30	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	15,000		50 Na @ 21 V	30 V	80オーム
BZX84B30-HE3-08	0.0341	RFQ	9199	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B30	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	15,000		50 Na @ 21 V	30 V	80オーム
BZX84B33-HE3-08	0.0341	RFQ	5025	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B33	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	15,000		50 Na @ 23.1 v	33 v	80オーム
BZX84B36-G3-08	0.0389	RFQ	7549	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B36	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	15,000		50 Na @ 25.2 v	36 v	90オーム
BZX84B3V0-HE3-08	0.2600	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B3V0	300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000		10 µA @ 1 V	3 v	95オーム
BZD27C3V6P-E3-08	0.4100	RFQ	26	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C3V6	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	100 µA @ 1 V	3.6 v	8オーム
BZD27C3V6P-M-08	-	RFQ	2060	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C3V6	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	100 µA @ 1 V	3.6 v	8オーム
BZD27C43P-E3-08	0.4100	RFQ	4251	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C43	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 33 v	43 v	45オーム
BZD27C4V3P-E3-08	0.4100	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C4V3	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	25 µA @ 1 V	4.3 v	7オーム
bzd27c5v1p-he3-08	0.4200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C5V1	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 1 V	5.1 v	6オーム
BZD27C5VVV1P-M3-08	0.4500	RFQ	2271	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C5V1	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	30,000	1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 1 V	5.1 v	6オーム
BZD27C5V6P-HE3-08	0.4200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C5V6	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 2 V	5.6 v	4オーム
BZD27C62P-E3-08	0.4400	RFQ	27	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C62	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 47 v	62 v	80オーム
BZD27C68P-M-08	-	RFQ	2818	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C68	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 51 v	68 v	80オーム
BZD27C6V2P-HE3-08	0.4200	RFQ	8609	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C6V2	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 2 V	6.2 v	3オーム
BZD27C6V2P-M3-08	0.4500	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C6V2	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 2 V	6.2 v	3オーム
BZD27C75P-M-08	-	RFQ	1035	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C75	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 56 v	75 v	100オーム
BZD27C7V5P-E3-08	0.5300	RFQ	5996	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C7V5	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	50 µA @ 3 V	7.5 v	2オーム
BZD27C7V5P-M-08	-	RFQ	4565	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C7V5	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	50 µA @ 3 V	7.5 v	2オーム
BZD27C7V5P-M3-08	0.1500	RFQ	9344	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C7V5	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	30,000	1.2 V @ 200 mA	50 µA @ 3 V	7.5 v	2オーム
BZD27C82P-HE3-08	0.4500	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C82	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 62 v	82 v	100オーム
BZD27C8V2P-M3-08	0.1650	RFQ	3622	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C8V2	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	30,000	1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 3 V	8.2 v	2オーム
BZD27C91P-E3-08	0.4400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C91	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 68 v	91 v	200オーム
bzd27c9v1p-e3-08	0.5400	RFQ	4414	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C9V1	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 5 V	9.1 v	4オーム
BZD27C9V1P-HE3-08	0.4200	RFQ	7306	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C9V1	800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	30,000	1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 5 V	9.1 v	4オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²