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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）
GI2404-E3/45	0.8186	RFQ	1737	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-220-3	GI2404	標準	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	16a	975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
GI2404HE3/45	-	RFQ	1899	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		穴を通して	TO-220-3	GI2404	標準	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	16a	975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
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MBR10H100-E3/45	1.4200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-220-2	MBR10	ショットキー	TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		100 V		770 mV @ 10 a		4.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	10a	-
U3C-E3/57T	0.2279	RFQ	3665	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	do-214ab 、mc	U3c	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 3 a	20 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	2a	-
UH1D-E3/61T	-	RFQ	2152	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	DO-214AC、SMA	uh1	標準	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		200 v		1.05 V @ 1 a	30 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1a	-
UH2C-E3/52T	-	RFQ	4115	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	DO-214AA、SMB	uh2	標準	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		150 v		1.05 V @ 2 a	35 ns	2 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	2a	-
uh2dhe3/52t	-	RFQ	9554	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	DO-214AA、SMB	uh2	標準	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		200 v		1.05 V @ 2 a	35 ns	2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	-
UH3B-E3/57T	-	RFQ	3669	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	do-214ab 、mc	uh3	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		100 V		1.05 V @ 3 a	40 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	3a	-
UH3C-E3/57T	-	RFQ	5628	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	do-214ab 、mc	uh3	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		150 v		1.05 V @ 3 a	40 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	3a	-
UH3D-E3/57T	-	RFQ	5205	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	do-214ab 、mc	uh3	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		200 v		1.05 V @ 3 a	40 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	3a	-
uh4pbc-m3/86a	-	RFQ	8333	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	uh4	標準	TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	2a	1.05 V @ 2 a	25 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²