画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYS10-35HE3/TR3 | - | ![]() | 6105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 35 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 1.5a | - | |||||
![]() | BYS10-45-E3/TR3 | 0.4300 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 1.5a | - | |||||
![]() | BYS459B-1500E3/81 | - | ![]() | 8805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | BYS459 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1500 v | 1.3 V @ 6.5 a | 350 ns | 250 µA @ 1500 V | -55°C〜150°C | 6.5a | - | ||||
![]() | byt28b-300he3_a/i | - | ![]() | 7488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | BYT28 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 5a | 1.3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | BYT28B-400-E3/81 | - | ![]() | 6559 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | BYT28 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 5a | 1.3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | byt28b-400he3_a/i | - | ![]() | 8353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | BYT28 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 5a | 1.3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | BYV26DGPHE3/54 | - | ![]() | 1938年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | byv26 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 2.5 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||
![]() | BYV26EGP-E3/54 | 0.6000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | byv26 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 2.5 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||
![]() | byv26egphe3/54 | - | ![]() | 7326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | byv26 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 2.5 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||
![]() | byv29b-400he3_a/i | - | ![]() | 6733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | byvb32-100he3_a/i | 0.9405 | ![]() | 2695 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byvb32 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | BYVB32-150-E3/81 | 1.0050 | ![]() | 4982 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byvb32 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | ||||
![]() | byvb32-150he3_a/i | 0.9405 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byvb32 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | ||||
![]() | BYVB32-200-E3/81 | 1.6500 | ![]() | 496 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byvb32 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | ||||
![]() | byvb32-200he3_a/i | 0.9405 | ![]() | 3133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byvb32 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | ||||
![]() | BYWB29-100-E3/81 | 0.8147 | ![]() | 4904 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | bywb29 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | bywb29-100he3_a/i | 0.9264 | ![]() | 2609 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | bywb29 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | BYWB29-150-E3/81 | 0.8147 | ![]() | 2739 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | bywb29 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | GI818-E3/54 | - | ![]() | 9831 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GI818 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.2 V @ 1 a | 750 ns | 10 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||
![]() | GI824-E3/54 | - | ![]() | 8118 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | P600 、軸 | GI824 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.1 V @ 5 a | 200 ns | 10 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 5a | 300pf @ 4V、1MHz | ||||
GI854-E3/54 | - | ![]() | 4390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | GI854 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 3 a | 200 ns | 10 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 3a | 28pf @ 4V、1MHz | |||||
GI914-E3/54 | - | ![]() | 2982 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | GI914 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.25 V @ 3 a | 750 ns | 10 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||
![]() | GIB1401-E3/81 | 0.7496 | ![]() | 3308 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | GIB1401 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | gib2401he3_a/i | 1.2800 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | GIB2401 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 16a | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | gib2402he3_a/i | 1.2800 | ![]() | 8797 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | GIB2402 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 16a | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | GL34G-E3/83 | 0.1505 | ![]() | 7770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | GL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 500 Ma | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||
![]() | GL34GHE3/83 | - | ![]() | 3163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | GL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | GL34GHE3_A/I | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 500 Ma | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | |||
![]() | GL34J-E3/83 | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | GL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 500 Ma | 1.5 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||
![]() | GL41D-E3/97 | 0.1246 | ![]() | 4523 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | GL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||
![]() | GP02-20HE3/54 | - | ![]() | 4336 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP02 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 3 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 2000 v | -65°C〜175°C | 250ma | - |
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