SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f
BYS10-35HE3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-35HE3/TR3 -
RFQ
ECAD 6105 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント DO-214AC、SMA bys10 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 35 v 500 mV @ 1 a 500 µA @ 35 V -65°C〜150°C 1.5a -
BYS10-45-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-45-E3/TR3 0.4300
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA bys10 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 45 v 500 mV @ 1 a 500 µA @ 45 V -65°C〜150°C 1.5a -
BYS459B-1500E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS459B-1500E3/81 -
RFQ
ECAD 8805 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 BYS459 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1500 v 1.3 V @ 6.5 a 350 ns 250 µA @ 1500 V -55°C〜150°C 6.5a -
BYT28B-300HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt28b-300he3_a/i -
RFQ
ECAD 7488 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 BYT28 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 300 V 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µA @ 300 V -40°C〜150°C
BYT28B-400-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT28B-400-E3/81 -
RFQ
ECAD 6559 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 BYT28 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C
BYT28B-400HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt28b-400he3_a/i -
RFQ
ECAD 8353 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 BYT28 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C
BYV26DGPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV26DGPHE3/54 -
RFQ
ECAD 1938年年 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 byv26 標準 DO-204AC (DO-15) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 800 V 2.5 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
BYV26EGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV26EGP-E3/54 0.6000
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 byv26 標準 DO-204AC (DO-15) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 1000 V 2.5 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1000 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
BYV26EGPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26egphe3/54 -
RFQ
ECAD 7326 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 byv26 標準 DO-204AC (DO-15) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 1000 V 2.5 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1000 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
BYV29B-400HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv29b-400he3_a/i -
RFQ
ECAD 6733 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 byv29 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 400 V 1.25 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 8a -
BYVB32-100HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byvb32-100he3_a/i 0.9405
RFQ
ECAD 2695 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 byvb32 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 18a 1.15 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C
BYVB32-150-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-150-E3/81 1.0050
RFQ
ECAD 4982 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 byvb32 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 18a 1.15 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 150 v -65°C〜150°C
BYVB32-150HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byvb32-150he3_a/i 0.9405
RFQ
ECAD 2827 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 byvb32 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 18a 1.15 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 150 v -65°C〜150°C
BYVB32-200-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-200-E3/81 1.6500
RFQ
ECAD 496 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 byvb32 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 18a 1.15 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 200 v -65°C〜150°C
BYVB32-200HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byvb32-200he3_a/i 0.9405
RFQ
ECAD 3133 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 byvb32 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 18a 1.15 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 200 v -65°C〜150°C
BYWB29-100-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-100-E3/81 0.8147
RFQ
ECAD 4904 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 bywb29 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 100 V 1.3 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 8a -
BYWB29-100HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division bywb29-100he3_a/i 0.9264
RFQ
ECAD 2609 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 bywb29 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 100 V 1.3 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 8a -
BYWB29-150-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-150-E3/81 0.8147
RFQ
ECAD 2739 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 bywb29 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 150 v 1.3 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 150 v -65°C〜150°C 8a -
GI818-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI818-E3/54 -
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 GI818 標準 DO-204AC (DO-15) - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,000 標準回復> 500ns 1000 V 1.2 V @ 1 a 750 ns 10 µA @ 1000 v -65°C〜175°C 1a -
GI824-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI824-E3/54 -
RFQ
ECAD 8118 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して P600 、軸 GI824 標準 P600 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 400 V 1.1 V @ 5 a 200 ns 10 µA @ 400 V -50°C〜150°C 5a 300pf @ 4V、1MHz
GI854-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI854-E3/54 -
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して do-201ad、軸 GI854 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,400 高速回復= <500ns 400 V 1.25 V @ 3 a 200 ns 10 µA @ 400 V -50°C〜150°C 3a 28pf @ 4V、1MHz
GI914-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI914-E3/54 -
RFQ
ECAD 2982 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して do-201ad、軸 GI914 標準 DO-201AD - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,400 標準回復> 500ns 400 V 1.25 V @ 3 a 750 ns 10 µA @ 400 V -50°C〜150°C 3a -
GIB1401-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB1401-E3/81 0.7496
RFQ
ECAD 3308 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 GIB1401 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 50 v 975 mV @ 8 a 35 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 8a -
GIB2401HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division gib2401he3_a/i 1.2800
RFQ
ECAD 3851 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 GIB2401 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 16a 975 mV @ 8 a 35 ns 50 µA @ 50 V -65°C〜150°C
GIB2402HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division gib2402he3_a/i 1.2800
RFQ
ECAD 8797 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 GIB2402 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 16a 975 mV @ 8 a 35 ns 50 µA @ 100 V -65°C〜150°C
GL34G-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL34G-E3/83 0.1505
RFQ
ECAD 7770 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213aa (ガラス) GL34 標準 do-213aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 9,000 標準回復> 500ns 400 V 1.2 V @ 500 Ma 1.5 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 500mA 4PF @ 4V、1MHz
GL34GHE3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL34GHE3/83 -
RFQ
ECAD 3163 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213aa (ガラス) GL34 標準 do-213aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない GL34GHE3_A/I ear99 8541.10.0070 9,000 標準回復> 500ns 400 V 1.2 V @ 500 Ma 1.5 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 500mA 4PF @ 4V、1MHz
GL34J-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL34J-E3/83 0.4100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213aa (ガラス) GL34 標準 do-213aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 9,000 標準回復> 500ns 600 V 1.3 V @ 500 Ma 1.5 µs 5 µA @ 600 v -65°C〜175°C 500mA 4PF @ 4V、1MHz
GL41D-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL41D-E3/97 0.1246
RFQ
ECAD 4523 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) GL41 標準 DO-213AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,000 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 200 v -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V、1MHz
GP02-20HE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-20HE3/54 -
RFQ
ECAD 4336 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 GP02 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 5,500 標準回復> 500ns 2000 v 3 V @ 1 a 2 µs 5 µA @ 2000 v -65°C〜175°C 250ma -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫