画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 関数 | 基準 | 制御インターフェイス | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MB85RC04PNF-G-JNERE1 | 0.7745 | ![]() | 1370 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC04 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RC04PNF-G-JNERE1TR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | フラム | 512 x 8 | i²c | - | |||||
![]() | MB85RC04PNF-G-JNE1 | 0.7745 | ![]() | 2169 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC04 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RC04PNF-G-JNE1TR | ear99 | 8542.32.0071 | 95 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | フラム | 512 x 8 | i²c | - | |||||
![]() | MB85RS4MTYPN-GS-AWEWE1 | 7.0974 | ![]() | 6833 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MB85RS4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS4MTYPN-GS-AWEWE1TR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 9 ns | フラム | 512k x 8 | spi | - | |||||
![]() | MB85RS64VYPNF-G-AWERE2 | 1.5749 | ![]() | 9861 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | MB85RS64 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜5.5V | 8 ソン(2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS64VYPNF-G-AWERE2TR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 13 ns | フラム | 8k x 8 | spi | - | |||||
![]() | MB86298KPBH-GE1 | - | ![]() | 1031 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | 廃止 | - | - | - | 865-MB86298KPBH-GE1 | 廃止 | 40 | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | MB85RC64TAPNF-G-JNERE2 | 1.5891 | ![]() | 3602 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC64 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RC64TAPNF-G-JNERE2 | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 130 ns | フラム | 8k x 8 | i²c | - | |||||
![]() | MB85RS2MTAPF-G-BCE1 | 7.4556 | ![]() | 9118 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS2MTAPF-G-BCE1 | ear99 | 8542.32.0071 | 80 | 40 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 9 ns | フラム | 256k x 8 | spi | 400µs | |||||
![]() | MB85R8M2TABGL | - | ![]() | 4199 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | - | 865-MB85R8M2TABGL | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||||||
MB85AS8MTPW-G-KBAERE1 | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 11-xfbga 、wlbga | MB85AS8 | レラム(抵抗ラム) | 1.6V〜3.6V | 11-wlp(2.07x2.88) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85AS8MTPW-G-KBAERE1TR | ear99 | 8542.32.0071 | 10,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 35 ns | ラム | 1m x 8 | spi | 10ms | ||||||
![]() | MB85RQ8MLXPF-G-BCERE1 | 13.7814 | ![]() | 5588 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MB85RQ8 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 16ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RQ8MLXPF-G-BCERE1TR | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 108 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 7 ns | フラム | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||
![]() | MB85RQ8MLXPF-G-BCE1 | 14.6569 | ![]() | 5070 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MB85RQ8 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 16ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RQ8MLXPF-G-BCE1 | ear99 | 8542.32.0071 | 160 | 108 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 7 ns | フラム | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||
![]() | MB85RS16NPNF-G-JNE1 | 1.2048 | ![]() | 7153 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜95°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 865-MB85RS16NPNF-G-JNE1 | 95 | 20 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 18 ns | フラム | 2k x 8 | spi | - | ||||||||||
![]() | MB85RS256TYPNF-G-BCE1 | 2.9597 | ![]() | 9267 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | 865-MB85RS256TYPNF-G-BCE1 | 85 | 33 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 13 ns | フラム | 32k x 8 | spi | - | ||||||||||
![]() | MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 | 3.1288 | ![]() | 4483 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | 865-MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 | 85 | 33 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 13 ns | フラム | 32k x 8 | spi | - | ||||||||||
![]() | MB85RC1MTPNF-G-JNE1 | 4.6903 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | 865-MB85RC1MTPNF-G-JNE1 | 95 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 130 ns | フラム | 128k x 8 | i²c | - | ||||||||||
![]() | MB85RE4M2TFN-G-JAE2 | - | ![]() | 7143 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MB85RE4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 44-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 4mbit | フラム | 256k x 16 | - | 150ns | ||||||||
![]() | MB85RE4M2TFN-G-ASE1 | - | ![]() | 7278 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MB85RE4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 44-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 4mbit | フラム | 256k x 16 | - | 150ns | ||||||||
![]() | MB85R8M2TAFN-G-JAE2 | 15.2432 | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MB85R8 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 44-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85R8M2TAFN-G-JAE2 | ear99 | 8542.32.0071 | 126 | 不揮発性 | 8mbit | 120 ns | フラム | 1m x 8 | 平行 | 120ns |
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