SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 基準 制御インターフェイス クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MB85RC04PNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC04PNF-G-JNERE1 0.7745
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC04 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RC04PNF-G-JNERE1TR ear99 8542.32.0071 1,500 400 kHz 不揮発性 4kbit 900 ns フラム 512 x 8 i²c -
MB85RC04PNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC04PNF-G-JNE1 0.7745
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC04 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RC04PNF-G-JNE1TR ear99 8542.32.0071 95 400 kHz 不揮発性 4kbit 900 ns フラム 512 x 8 i²c -
MB85RS4MTYPN-GS-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTYPN-GS-AWEWE1 7.0974
RFQ
ECAD 6833 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド MB85RS4 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RS4MTYPN-GS-AWEWE1TR ear99 8542.32.0071 1,500 50 MHz 不揮発性 4mbit 9 ns フラム 512k x 8 spi -
MB85RS64VYPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64VYPNF-G-AWERE2 1.5749
RFQ
ECAD 9861 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド MB85RS64 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜5.5V 8 ソン(2x3) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RS64VYPNF-G-AWERE2TR ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 不揮発性 64kbit 13 ns フラム 8k x 8 spi -
MB86298KPBH-GE1 Kaga FEI America, Inc. MB86298KPBH-GE1 -
RFQ
ECAD 1031 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ 廃止 - - - 865-MB86298KPBH-GE1 廃止 40 - - -
MB85RC64TAPNF-G-JNERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64TAPNF-G-JNERE2 1.5891
RFQ
ECAD 3602 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC64 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RC64TAPNF-G-JNERE2 ear99 8542.32.0071 1,500 3.4 MHz 不揮発性 64kbit 130 ns フラム 8k x 8 i²c -
MB85RS2MTAPF-G-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTAPF-G-BCE1 7.4556
RFQ
ECAD 9118 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS2 フラム(強誘電性ラム) 1.7V〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RS2MTAPF-G-BCE1 ear99 8542.32.0071 80 40 MHz 不揮発性 2mbit 9 ns フラム 256k x 8 spi 400µs
MB85R8M2TABGL Kaga FEI America, Inc. MB85R8M2TABGL -
RFQ
ECAD 4199 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ アクティブ - 865-MB85R8M2TABGL ear99 8542.32.0071 1
MB85AS8MTPW-G-KBAERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85AS8MTPW-G-KBAERE1 -
RFQ
ECAD 4398 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 11-xfbga 、wlbga MB85AS8 レラム(抵抗ラム) 1.6V〜3.6V 11-wlp(2.07x2.88) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85AS8MTPW-G-KBAERE1TR ear99 8542.32.0071 10,000 10 MHz 不揮発性 8mbit 35 ns ラム 1m x 8 spi 10ms
MB85RQ8MLXPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RQ8MLXPF-G-BCERE1 13.7814
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) MB85RQ8 フラム(強誘電性ラム) 1.7V〜1.95V 16ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RQ8MLXPF-G-BCERE1TR ear99 8542.32.0071 500 108 MHz 不揮発性 8mbit 7 ns フラム 1m x 8 spi -quad i/o、qpi -
MB85RQ8MLXPF-G-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RQ8MLXPF-G-BCE1 14.6569
RFQ
ECAD 5070 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) MB85RQ8 フラム(強誘電性ラム) 1.7V〜1.95V 16ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RQ8MLXPF-G-BCE1 ear99 8542.32.0071 160 108 MHz 不揮発性 8mbit 7 ns フラム 1m x 8 spi -quad i/o、qpi -
MB85RS16NPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS16NPNF-G-JNE1 1.2048
RFQ
ECAD 7153 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜95°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜3.6V 8ソップ - 865-MB85RS16NPNF-G-JNE1 95 20 MHz 不揮発性 16kbit 18 ns フラム 2k x 8 spi -
MB85RS256TYPNF-G-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-G-BCE1 2.9597
RFQ
ECAD 9267 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ - 865-MB85RS256TYPNF-G-BCE1 85 33 MHz 不揮発性 256kbit 13 ns フラム 32k x 8 spi -
MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 3.1288
RFQ
ECAD 4483 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ - 865-MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 85 33 MHz 不揮発性 256kbit 13 ns フラム 32k x 8 spi -
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC1MTPNF-G-JNE1 4.6903
RFQ
ECAD 6085 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ - 865-MB85RC1MTPNF-G-JNE1 95 3.4 MHz 不揮発性 1mbit 130 ns フラム 128k x 8 i²c -
MB85RE4M2TFN-G-JAE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RE4M2TFN-G-JAE2 -
RFQ
ECAD 7143 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MB85RE4 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 44-tsop - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 4mbit フラム 256k x 16 - 150ns
MB85RE4M2TFN-G-ASE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RE4M2TFN-G-ASE1 -
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MB85RE4 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 44-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1B1 8542.32.0071 1 不揮発性 4mbit フラム 256k x 16 - 150ns
MB85R8M2TAFN-G-JAE2 Kaga FEI America, Inc. MB85R8M2TAFN-G-JAE2 15.2432
RFQ
ECAD 4431 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MB85R8 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 44-tsop - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85R8M2TAFN-G-JAE2 ear99 8542.32.0071 126 不揮発性 8mbit 120 ns フラム 1m x 8 平行 120ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫