画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DF04SA-E3/45 | 0.2751 | ![]() | 3511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DF04 | 標準 | DFS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1 a | 単相 | 400 V | |||||||
![]() | EDF1BS-E3/45 | 0.5991 | ![]() | 5165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | EDF1 | 標準 | DFS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.05 V @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | |||||||
![]() | EDF1CS-E3/45 | 0.5991 | ![]() | 3810 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | EDF1 | 標準 | DFS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.05 V @ 1 a | 5 µA @ 150 v | 1 a | 単相 | 150 v | |||||||
![]() | EDF1DS-E3/45 | 0.5547 | ![]() | 8696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | EDF1 | 標準 | DFS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.05 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 a | 単相 | 200 v | |||||||
![]() | FEP16AT-E3/45 | 0.7128 | ![]() | 1520 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 16a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEP16BTHE3/45 | - | ![]() | 4645 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 16a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEP16CT-E3/45 | 1.5100 | ![]() | 372 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 16a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEP16DT-E3/45 | 1.5100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 16a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | |||||
![]() | fep16dthe3/45 | - | ![]() | 5549 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 16a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEP16FT-E3/45 | 1.5700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 16a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEP16GTHE3/45 | - | ![]() | 1119 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 16a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEP16HTHE3/45 | - | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 16a | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEP16JT-E3/45 | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 16a | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | fep30ap-e3/45 | 1.6062 | ![]() | 8489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | FEP30 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 15a | 950 mV @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEP30bp-e3/45 | 1.6062 | ![]() | 1603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | FEP30 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 950 mV @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEP30FP-E3/45 | 1.7818 | ![]() | 6447 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | FEP30 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 15a | 1.3 V @ 15 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEPB16BT-E3/45 | 0.8732 | ![]() | 8134 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 8a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | fepb16bthe3_a/p | 1.1550 | ![]() | 9388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 8a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | fepb16dthe3_a/p | 1.1550 | ![]() | 5197 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 8a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | |||||
![]() | fepb16fthe3_a/p | 1.1715 | ![]() | 7686 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 8a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEPB16GT-E3/45 | 0.9405 | ![]() | 6883 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 8a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | fepb16hthe3_a/p | 1.1715 | ![]() | 4707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 8a | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEPB16JT-E3/45 | 1.7800 | ![]() | 323 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 8a | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | fepb6athe3/45 | - | ![]() | 6953 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB6 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEPB6CTHE3/45 | - | ![]() | 9723 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB6 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEPF16GT-E3/45 | 1.7200 | ![]() | 8826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | FEPF16 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 8a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEPF6AT-E3/45 | - | ![]() | 3266 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | FEPF6 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEPF6BTHE3/45 | - | ![]() | 1555 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | FEPF6 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEPF6CT-E3/45 | - | ![]() | 2460 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | FEPF6 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FEPF6CTHE3/45 | - | ![]() | 1545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | FEPF6 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C |
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